一个或两个光纤和双绞线接口，采用正发射极耦合逻辑/低压正向发射极耦合逻辑(PECL/LVPECL)兼容模块，能和工业标准的微型光纤元件或物理媒体层(PMD)模块接口。

产品的工作电压为3.3V，可用在单/多端口10/100自动谈判媒体转换器，单/多端口100Base-FX/SX到100Base-TX媒体转换器，单/多模光纤转换器，网络接口卡，中继器，桥，集线器，交换和路由器的光纤光前端，住宅连接和网关/分隔产品，冗余链接转换器以及波长转换器等。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET RoHS: 详细信息 技术:Si 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:40 V Id-连续漏极电流:180 A Rds On-漏源导通电阻:2.7 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:100 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C Pd-功率耗散:200 W 通道模式:Enhancement 封装:Tube 配置:Single 高度:15.65 mm 长度:10 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:4.4 mm 商标:Infineon Technologies 正向跨导 - 最小值:170 S 下降时间:58 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:110 ns 工厂包装数量:1000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:36 ns 典型接通延迟时间:18 ns 单位重量:6 g

可配置的结构也允许定制以满足特殊用户的需要如等待时间和带宽。

设计新的多端口DDR 存储器控制器，我们集中在把多主控子系统的性能最大化，提供高度可配置内核给不用定制的标准和能定制DDR控制器前端接口的两种不同的用户。

多端口DDR存储器控制器完全支持LSI Logic 公司的CoreWare®程序，使它很容易用预先设计和预先验证的内核库以及客户设计的逻辑电路来进行集成。

多端口DDR 存储器控制器的灵活可配置，支持大范围的系统要求和DDR存储器器件。

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