标准的CMOS逻辑工艺生产出64M位铁电RAM(FRAM)芯片，能代替各种应用的嵌入式闪存和嵌入式DRAM。同一芯片上有嵌入式存储器和处理器，外设和其它元件将会降低元件数量和系统复杂性，增加系统性能和数据安全。

FRAM比其它的嵌入式存储器的制造成本低，功耗也低。64M位FRAM有最小的FRAM单元，仅为0.52平方微米。FRAM有快速存取时间，低功耗，小单元面积和低制造成本，使它能用来存储程序和数据，非常适合用在无线领域。其它的潜在市场包括有宽带接入，消费类电子和TI公司的大量的可编程DSP。

制造商:Texas Instruments 产品种类:16位微控制器 - MCU 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-20 程序存储器大小:4 kB 数据总线宽度:16 bit ADC分辨率:No ADC 最大时钟频率:16 MHz 输入/输出端数量:16 I/O 数据 RAM 大小:256 B 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 105 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.15 mm 长度:6.5 mm 程序存储器类型:Flash 宽度:4.4 mm 商标:Texas Instruments 数据 ROM 大小:256 B 数据 Rom 类型:Flash 接口类型:UART 计时器/计数器数量:1 Timer 处理器系列:2 Series 产品类型:16-bit Microcontrollers - MCU 工厂包装数量2000 子类别:Microcontrollers - MCU 看门狗计时器:No Watchdog Timer 单位重量:77 mg

TI最初的FRAM测试芯片是用标准的130nm铜连接工艺制造，仅增加两道掩模工序。1.5V芯片证明了迄今为止最小的FRAM单元，尺寸仅为0.52平方微米，因此在同样的芯片上能得到比SRAM密度更高的存储器。在90nm工艺，FRAM单元更小，仅为0.35平方微米。FRAM结合了易挥发的DRAM的快速存取和低功耗的特点，能够在停电时保存数据。

FRAM是如何工作的,FRAM核心技术是把微细的铁电晶体集成到电容上，使FRAM像快速的非挥发RAM那样工作。铁电晶体的电极化在电场的作用下在两个稳定状态间变化。

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