驱动CoolSiC电压为15V时导通电阻值高出18％
发布时间:2020/12/24 8:45:05 访问次数:385
Magellan GPS助手在欧洲可以通过兼容广域增值服务(WAAS)和欧洲地理导航覆盖服务(EGNOS)提供准确度在3米的精确定位。这项性能使得m500用户不仅得到在城市和郊区都可行的个人GPS服务，还可以获得车辆导航的服务。采用TomTom CityMaps 和TomTom Route 的掌上机应用软件和Magellan 导航公司自己的软件来实现的。
Magellan GPS(全球定位系统)助手使用户可以在手持的掌上机上计算路线，并且在移动的地图上提供指导和GPS导航。通过PC机或和互联网连接，用户可以迅速的计算一个新的路线。具有GPS功能的m500系列掌上机。它具有重量轻，不用电线的特点，并且在通用连接器上还附有12个并行信道的GPS接收机。GPS助手可以通过串口与掌上机通信，并且留有扩展卡方便下载地图。用两节AAA电池和一个可选的12伏电缆。
安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-5比较器类型:General Purpose通道数量:1 Channel输出类型:Rail-to-Rail每个通道的输出电流:10 mAIb - 输入偏流:250 nAVos - 输入偏置电压 :7 mV电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.7 V工作电源电流:120 uA响应时间:300 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C资格:AEC-Q100封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.15 mm 长度:2.9 mm 产品:Analog Comparators 系列: 电源类型:Single 技术:Bipolar 类型:Low Voltage Comparator 宽度:1.6 mm 商标:Texas Instruments 关闭:No Shutdown GBP-增益带宽产品:- 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 产品类型:Analog Comparators
提供CoolSiC数据表中定义的RDS（on），如驱动CoolSiC电压限制为15V时它的导通电阻值高出18％。
CoolSiC电路时允许选择新的驱动集成电路器，则值得考虑具有较高欠压锁定（约13V）的驱动集成电路，以确保CoolSiC 和系统可以在任何异常工作条件下安全运行。
碳化硅MOSFET的另一个优点是在25°C至150°C温度之间，对传输特性的改变非常有限。
在25°C和150°C的传输特性曲线表明，碳化硅MOSFET 受到的影响明显低于硅MOSFET。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
Magellan GPS助手在欧洲可以通过兼容广域增值服务(WAAS)和欧洲地理导航覆盖服务(EGNOS)提供准确度在3米的精确定位。这项性能使得m500用户不仅得到在城市和郊区都可行的个人GPS服务，还可以获得车辆导航的服务。采用TomTom CityMaps 和TomTom Route 的掌上机应用软件和Magellan 导航公司自己的软件来实现的。
Magellan GPS(全球定位系统)助手使用户可以在手持的掌上机上计算路线，并且在移动的地图上提供指导和GPS导航。通过PC机或和互联网连接，用户可以迅速的计算一个新的路线。具有GPS功能的m500系列掌上机。它具有重量轻，不用电线的特点，并且在通用连接器上还附有12个并行信道的GPS接收机。GPS助手可以通过串口与掌上机通信，并且留有扩展卡方便下载地图。用两节AAA电池和一个可选的12伏电缆。
安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-5比较器类型:General Purpose通道数量:1 Channel输出类型:Rail-to-Rail每个通道的输出电流:10 mAIb - 输入偏流:250 nAVos - 输入偏置电压 :7 mV电源电压-最大:5.5 V电源电压-最小:2.7 V工作电源电流:120 uA响应时间:300 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C资格:AEC-Q100封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.15 mm 长度:2.9 mm 产品:Analog Comparators 系列: 电源类型:Single 技术:Bipolar 类型:Low Voltage Comparator 宽度:1.6 mm 商标:Texas Instruments 关闭:No Shutdown GBP-增益带宽产品:- 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 产品类型:Analog Comparators
提供CoolSiC数据表中定义的RDS（on），如驱动CoolSiC电压限制为15V时它的导通电阻值高出18％。
CoolSiC电路时允许选择新的驱动集成电路器，则值得考虑具有较高欠压锁定（约13V）的驱动集成电路，以确保CoolSiC 和系统可以在任何异常工作条件下安全运行。
碳化硅MOSFET的另一个优点是在25°C至150°C温度之间，对传输特性的改变非常有限。
在25°C和150°C的传输特性曲线表明，碳化硅MOSFET 受到的影响明显低于硅MOSFET。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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