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板卡通过50Gbps光口以100MHz占用带宽处理5G NR 4TRX多个扇区

发布时间:2023/6/9 23:12:44 访问次数:35

FlexEdge智能边缘自动化平台: 作为高度可扩展的工业物联网(IIoT)平台,FlexEdg的人性化操作系统融合了Linux®的可扩展性和Crimson®3.2软件的强大功能,使单个FlexEdge控制器就可提供高级联网、安全和自动化功能。借助FlexEdge,企业可以无缝连接现有设备和新设备,从而缩短整体停工时间,并以稳定、强大的可扩展性满足未来的业务需求变化。该平台通过多项专业认证,是石油天然气、水和污染处理、海事、危险场所及工业自动化等应用的理想之选。


关键的通道编码功能从 CPU 卸载到 T1 卡,与加速前的服务器实现相比,可以将编解码吞吐量分别提高 45 倍和 23 倍。与此同时,T1 卡通过助力占用更少的 CPU 核,可以大幅降低系统成本与总功耗。此外,对于 O-RAN 前传终结,该板卡能通过其 50Gbps 的光口以 100MHz 的占用带宽( OBW )处理 5G NR 4TRX 的多个扇区。前传带宽和 L1 带宽针对最佳可扩展性而匹配;如果需要更多信号塔,则可以通过服务器插入更多板卡。



制造商: Infineon

产品种类: 分立半导体模块

RoHS: 详细信息

产品: Power MOSFET Modules

类型: CoolSiC MOSFET

Vf - 正向电压: 4.6 V at 50 A

Vr - 反向电压 : 1200 V

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, 20 V

安装风格: Screw Mount

封装 / 箱体: AG-EASY1BM-2

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

系列: FFXMR12

封装: Tray

配置: Dual

商标: Infineon Technologies

晶体管极性: N-Channel

下降时间: 12 ns

Id-连续漏极电流: 50 A

工作电源电压: -

Pd-功率耗散: 20 mW

产品类型: Discrete Semiconductor Modules

Rds On-漏源导通电阻: 22.5 mOhms

上升时间: 10 ns

工厂包装数量: 30

子类别: Discrete Semiconductor Modules

商标名: EasyDUAL CoolSiC MOSFET

典型关闭延迟时间: 43.5 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

Vds-漏源极击穿电压: 1200 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.45 V

零件号别名: FF23MR12W1M1P_B11 SP002739444

单位重量: 24 g


行业支持能够与赛灵思紧密合作共同开发其 T1 电信加速器卡,我们深感自豪。赛灵思长期面向整个行业提供最高端的自适应芯片,为 VVDN 开发前传和 L1 卸载解决方案所使用的业界领先的 5G IP 奠定了坚实基础。

Open RAN参与企业及解决方案的多元化,将促成真正的创新,成为电信行业持续发展的崭新途径。赛灵思推出的这一电信加速器卡系列是 5G Open RAN 的强大补充,其将为硬件赋予强大的灵活应变能力,助力实现与多种 O-RAN 设备的互操作。

赛灵思依托其在数据加速器市场积累的丰富经验,成功扩展到了 5G 电信加速器卡领域。我们诺基亚的 Airframe 设计团队期待继续与赛灵思合作,共同将这些激动人心的新选择和新功能推向不断增长的 5G 市场。


(素材:chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除)

http://yushuokj.51dzw.com深圳市裕硕科技有限公司






FlexEdge智能边缘自动化平台: 作为高度可扩展的工业物联网(IIoT)平台,FlexEdg的人性化操作系统融合了Linux®的可扩展性和Crimson®3.2软件的强大功能,使单个FlexEdge控制器就可提供高级联网、安全和自动化功能。借助FlexEdge,企业可以无缝连接现有设备和新设备,从而缩短整体停工时间,并以稳定、强大的可扩展性满足未来的业务需求变化。该平台通过多项专业认证,是石油天然气、水和污染处理、海事、危险场所及工业自动化等应用的理想之选。


关键的通道编码功能从 CPU 卸载到 T1 卡,与加速前的服务器实现相比,可以将编解码吞吐量分别提高 45 倍和 23 倍。与此同时,T1 卡通过助力占用更少的 CPU 核,可以大幅降低系统成本与总功耗。此外,对于 O-RAN 前传终结,该板卡能通过其 50Gbps 的光口以 100MHz 的占用带宽( OBW )处理 5G NR 4TRX 的多个扇区。前传带宽和 L1 带宽针对最佳可扩展性而匹配;如果需要更多信号塔,则可以通过服务器插入更多板卡。



制造商: Infineon

产品种类: 分立半导体模块

RoHS: 详细信息

产品: Power MOSFET Modules

类型: CoolSiC MOSFET

Vf - 正向电压: 4.6 V at 50 A

Vr - 反向电压 : 1200 V

Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, 20 V

安装风格: Screw Mount

封装 / 箱体: AG-EASY1BM-2

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

系列: FFXMR12

封装: Tray

配置: Dual

商标: Infineon Technologies

晶体管极性: N-Channel

下降时间: 12 ns

Id-连续漏极电流: 50 A

工作电源电压: -

Pd-功率耗散: 20 mW

产品类型: Discrete Semiconductor Modules

Rds On-漏源导通电阻: 22.5 mOhms

上升时间: 10 ns

工厂包装数量: 30

子类别: Discrete Semiconductor Modules

商标名: EasyDUAL CoolSiC MOSFET

典型关闭延迟时间: 43.5 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

Vds-漏源极击穿电压: 1200 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.45 V

零件号别名: FF23MR12W1M1P_B11 SP002739444

单位重量: 24 g


行业支持能够与赛灵思紧密合作共同开发其 T1 电信加速器卡,我们深感自豪。赛灵思长期面向整个行业提供最高端的自适应芯片,为 VVDN 开发前传和 L1 卸载解决方案所使用的业界领先的 5G IP 奠定了坚实基础。

Open RAN参与企业及解决方案的多元化,将促成真正的创新,成为电信行业持续发展的崭新途径。赛灵思推出的这一电信加速器卡系列是 5G Open RAN 的强大补充,其将为硬件赋予强大的灵活应变能力,助力实现与多种 O-RAN 设备的互操作。

赛灵思依托其在数据加速器市场积累的丰富经验,成功扩展到了 5G 电信加速器卡领域。我们诺基亚的 Airframe 设计团队期待继续与赛灵思合作,共同将这些激动人心的新选择和新功能推向不断增长的 5G 市场。


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