晶体的负载电容器全新功率优化
发布时间:2020/9/12 15:38:28 访问次数:716
nRF5340集成了全新功率优化的多协议2.4 GHz无线电,其TX电流为3.2 mA (0 dBm TX功率、3 V、DC/DC),RX电流为2.6 mA (3 V、DC/DC)。睡眠电流低至1.1 A。这款SoC的特色是增强了动态多协议支持,并发支持低功耗蓝牙和蓝牙mesh/Thread/Zigbee运作,可通过使用低功耗蓝牙的智能手机进行配置/调试,并与mesh网络交互。无线电具有蓝牙5.1测向的全部功能。nRF5340可在1.7 V至5.5 V电源电压范围工作,允许由可充电电池和USB供电。该SoC还集成了用于32 MHz和32.762 kHz晶体的XTAL负载电容器,与Nordic的nRF52系列相比,所需的外部组件数目减少了四个,减少了材料清单(BOM)和缩小了解决方案尺寸。
nRF5340 SoC旨在满足这些需求以及更多,Nordic在超低功耗无线领域数十年经验的结晶,也是Nordic过去七年开发和支持nRF51和nRF52系列SoC的经验总结,甚至或许是世界上最有经验的低功耗无线产品研发团队数年专注产品开发的成果。通过配合使用nRF5340和nRF Connect SDK,开发人员可以轻松构建迄今为止尚且无法实现的无线应用。
带有48个GPIO口的7x7 mm aQFN封装nRF5340 SoC工程样品即将工业。
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: 数字隔离器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
系列: ADUM3211
通道数量: 2 Channel
绝缘电压: 560 V
隔离类型: Magnetic Coupling
数据速率: 10 Mb/s
传播延迟时间: 50 ns
电源电压-最大: 5.5 V
电源电压-最小: 2.7 V
工作电源电流: 800 uA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
产品: Digital Isolators
类型: Standard
商标: Analog Devices
最大下降时间: 3 ns (Typ)
最大上升时间: 3 ns (Typ)
工作电源电压: 5.5 V
产品类型: Digital Isolators
脉冲宽度: 100 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Interface ICs
单位重量: 540 mg

单体GaN器件,还有集成式GaN模块产品。目前GaN集成形式最多的是GaN半桥模块,主要有EPC和GaN Systems在生产。其中EPC2104(100 V,30 A)、GS66508T(650 V,30 A)分别是两家公司等级最高的GaN半桥模块产品。
驱动电路位于主电路与控制电路之间,其输出与主电路有耦合关系,其输入与控制电路相连。因此,驱动电路往往需要隔离设计。一般的隔离方式主要分为光耦隔离和变压器隔离。相较于变压器隔离,GaN FET驱动电路的隔离中用光耦隔离的较多。光耦隔离的参数设计较简单,但其输出需要隔离驱动电源。GaN FET驱动电路的分类主要是由分立元件构成的驱动电路和以集成器件为主构成的驱动电路。
基于Transphorm公司的双向GaN,设计具有抗dv/dt的双向GaN FET驱动电路。数字隔离器具有高共模瞬态抗扰度,可防止高dv/dt的影响;铁氧体磁珠用来抑制栅极电压的振荡;缓冲电路放在器件附近可以抑制浪涌电压.
(素材:chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除)
nRF5340集成了全新功率优化的多协议2.4 GHz无线电,其TX电流为3.2 mA (0 dBm TX功率、3 V、DC/DC),RX电流为2.6 mA (3 V、DC/DC)。睡眠电流低至1.1 A。这款SoC的特色是增强了动态多协议支持,并发支持低功耗蓝牙和蓝牙mesh/Thread/Zigbee运作,可通过使用低功耗蓝牙的智能手机进行配置/调试,并与mesh网络交互。无线电具有蓝牙5.1测向的全部功能。nRF5340可在1.7 V至5.5 V电源电压范围工作,允许由可充电电池和USB供电。该SoC还集成了用于32 MHz和32.762 kHz晶体的XTAL负载电容器,与Nordic的nRF52系列相比,所需的外部组件数目减少了四个,减少了材料清单(BOM)和缩小了解决方案尺寸。
nRF5340 SoC旨在满足这些需求以及更多,Nordic在超低功耗无线领域数十年经验的结晶,也是Nordic过去七年开发和支持nRF51和nRF52系列SoC的经验总结,甚至或许是世界上最有经验的低功耗无线产品研发团队数年专注产品开发的成果。通过配合使用nRF5340和nRF Connect SDK,开发人员可以轻松构建迄今为止尚且无法实现的无线应用。
带有48个GPIO口的7x7 mm aQFN封装nRF5340 SoC工程样品即将工业。
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: 数字隔离器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
系列: ADUM3211
通道数量: 2 Channel
绝缘电压: 560 V
隔离类型: Magnetic Coupling
数据速率: 10 Mb/s
传播延迟时间: 50 ns
电源电压-最大: 5.5 V
电源电压-最小: 2.7 V
工作电源电流: 800 uA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
产品: Digital Isolators
类型: Standard
商标: Analog Devices
最大下降时间: 3 ns (Typ)
最大上升时间: 3 ns (Typ)
工作电源电压: 5.5 V
产品类型: Digital Isolators
脉冲宽度: 100 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: Interface ICs
单位重量: 540 mg

单体GaN器件,还有集成式GaN模块产品。目前GaN集成形式最多的是GaN半桥模块,主要有EPC和GaN Systems在生产。其中EPC2104(100 V,30 A)、GS66508T(650 V,30 A)分别是两家公司等级最高的GaN半桥模块产品。
驱动电路位于主电路与控制电路之间,其输出与主电路有耦合关系,其输入与控制电路相连。因此,驱动电路往往需要隔离设计。一般的隔离方式主要分为光耦隔离和变压器隔离。相较于变压器隔离,GaN FET驱动电路的隔离中用光耦隔离的较多。光耦隔离的参数设计较简单,但其输出需要隔离驱动电源。GaN FET驱动电路的分类主要是由分立元件构成的驱动电路和以集成器件为主构成的驱动电路。
基于Transphorm公司的双向GaN,设计具有抗dv/dt的双向GaN FET驱动电路。数字隔离器具有高共模瞬态抗扰度,可防止高dv/dt的影响;铁氧体磁珠用来抑制栅极电压的振荡;缓冲电路放在器件附近可以抑制浪涌电压.
(素材:chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除)
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