低功耗蜂窝物联网和低功耗短距离
发布时间:2020/9/12 15:35:30 访问次数:1688
nRF5340的软件开发套件nRF Connect SDK提供了完整的解决方案,其中集成了Zephyr RTOS、低功耗蓝牙协议栈、应用示例和硬件驱动程序。nRF Connect SDK是用于开发基于nRF9160 SiP商业产品的可靠解决方案。目前加上对nRF5340支持,这款SDK统一了低功耗蜂窝物联网和低功耗短距离无线应用开发。nRF Connect SDK公开托管在GitHub上,由Git提供源代码管理,并提供免费的SEGGER Embedded Studio IDE支持。Nordic还推出了一款价格低廉的nRF5340单板预览开发套件nRF5340 PDK,开发人员能使用nRF5340的全部功能和所有GPIO,该PDK还带有用于SoC编程和调试的板载SEGGER J-Link调试器。
蓝牙、Thread、Zigbee和其他低功耗无线技术现在构成了物联网的关键部分。开发人员已在开发基于包括房地产技术、定位服务、医疗、智能家居和工业物联网等高度复杂应用的未来商业产品。这些应用需要更高的计算能力和安全性,不过开发人员预期Nordic的无线解决方案仍会保持紧凑和高能效。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 模数转换器 - ADC
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-20 Wide
分辨率: 8 bit
通道数量: 1 Channel
接口类型: Parallel
采样比: 10 kS/s
输入类型: Differential
结构: SAR
模拟电源电压: 5 V
数字电源电压: 5 V
最小工作温度: 0 C
最大工作温度: + 70 C
高度: 2.34 mm
输入电压: 5 V
长度: 12.8 mm
转换器数量: 1 Converter
宽度: 7.47 mm
商标: Texas Instruments
参考类型: External, Supply
ADC 输入端数量: 1 Input
工作电源电压: 5 V
Pd-功率耗散: 875 mW
产品类型: ADCs - Analog to Digital Converters
采样和保持: No
子类别: Data Converter ICs
单位重量: 537.300 mg

生产耗尽型GaN FET的公司主要有美国Cree,其产品主要的参数,为推广耗尽型GaNHEMT的应用,Transphorm公司推出了Cascode结构的GaN FET。从表1可知Cree公司的GaN FET的阈值电压为负值,充分体现了它在零栅压下的常通特性。
增强型GaN FET的生产商则相对较多,主要包括中国香港的EPC、加拿大的GaN Systems、日本Panasonic公司等,它们的主要参数。在增强型GaN FET产品中,GaN Systems公司的电压电流等级较高,但阈值电压较小;EPC公司的电压等级较低,驱动电压范围最窄,导通损耗较大,但漏极电流等级最多;Panasonic公司的电压和电流等级最少,阈值电压最低,但开通较快;Transphorm公司的电压等级较高,驱动范围最广,阈值电压较高,使用较安全。
GaN FET主要的封装形式,增强型GaN FET的封装结构中贴片式的使用较多,直插式的较少。贴片式的外部引脚寄生效应影响较小,但不利于散热;直插式则相反,其散热能力较好,但高频时往往易受寄生参数影响。
(素材:chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除)
nRF5340的软件开发套件nRF Connect SDK提供了完整的解决方案,其中集成了Zephyr RTOS、低功耗蓝牙协议栈、应用示例和硬件驱动程序。nRF Connect SDK是用于开发基于nRF9160 SiP商业产品的可靠解决方案。目前加上对nRF5340支持,这款SDK统一了低功耗蜂窝物联网和低功耗短距离无线应用开发。nRF Connect SDK公开托管在GitHub上,由Git提供源代码管理,并提供免费的SEGGER Embedded Studio IDE支持。Nordic还推出了一款价格低廉的nRF5340单板预览开发套件nRF5340 PDK,开发人员能使用nRF5340的全部功能和所有GPIO,该PDK还带有用于SoC编程和调试的板载SEGGER J-Link调试器。
蓝牙、Thread、Zigbee和其他低功耗无线技术现在构成了物联网的关键部分。开发人员已在开发基于包括房地产技术、定位服务、医疗、智能家居和工业物联网等高度复杂应用的未来商业产品。这些应用需要更高的计算能力和安全性,不过开发人员预期Nordic的无线解决方案仍会保持紧凑和高能效。
制造商: Texas Instruments
产品种类: 模数转换器 - ADC
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-20 Wide
分辨率: 8 bit
通道数量: 1 Channel
接口类型: Parallel
采样比: 10 kS/s
输入类型: Differential
结构: SAR
模拟电源电压: 5 V
数字电源电压: 5 V
最小工作温度: 0 C
最大工作温度: + 70 C
高度: 2.34 mm
输入电压: 5 V
长度: 12.8 mm
转换器数量: 1 Converter
宽度: 7.47 mm
商标: Texas Instruments
参考类型: External, Supply
ADC 输入端数量: 1 Input
工作电源电压: 5 V
Pd-功率耗散: 875 mW
产品类型: ADCs - Analog to Digital Converters
采样和保持: No
子类别: Data Converter ICs
单位重量: 537.300 mg

生产耗尽型GaN FET的公司主要有美国Cree,其产品主要的参数,为推广耗尽型GaNHEMT的应用,Transphorm公司推出了Cascode结构的GaN FET。从表1可知Cree公司的GaN FET的阈值电压为负值,充分体现了它在零栅压下的常通特性。
增强型GaN FET的生产商则相对较多,主要包括中国香港的EPC、加拿大的GaN Systems、日本Panasonic公司等,它们的主要参数。在增强型GaN FET产品中,GaN Systems公司的电压电流等级较高,但阈值电压较小;EPC公司的电压等级较低,驱动电压范围最窄,导通损耗较大,但漏极电流等级最多;Panasonic公司的电压和电流等级最少,阈值电压最低,但开通较快;Transphorm公司的电压等级较高,驱动范围最广,阈值电压较高,使用较安全。
GaN FET主要的封装形式,增强型GaN FET的封装结构中贴片式的使用较多,直插式的较少。贴片式的外部引脚寄生效应影响较小,但不利于散热;直插式则相反,其散热能力较好,但高频时往往易受寄生参数影响。
(素材:chinaaet和ttic.如涉版权请联系删除)
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