ITU-T SG13网络2030焦点组第六次全会上，华为网络技术实验室提交了New IP文稿，展示了New IP原型。

ITU批准的标准通常被非洲、中东和亚洲的发展中国家采用。华为和其他合作开发者计划11月份在印度举行的ITU重大电信会议上竭力使New IP这项标准被通过。

新网络架构技术的某些部分已经在建造中，并准备在2021年初之前进行测试。

TCP/IP协议是最底层的互联网协议。这套协议实现计算机互联依靠的是用户的IP地址，管理用户IP地址的是主目录，管理主目录的服务器称为根服务器。世界上唯一一台主根服务器设立在美国，其他根服务器全部都是辅根服务器。由美国主导的根服务器治理体系造成了全球互联网关键资源管理和分配的不均衡。同时，没有根服务器的国家在互联网安全上也存在隐患。

相较于DRAM、SRAM和NAND Flash等技术面临的微缩困境，MRAM可满足制程进一步微缩需求。DRAM制程工艺节点为1X nm，已接近极限，而Flash走到20 nm以下后，就朝3D制程转型了。MRAM制程则可推进至10nm以下。

包括台积电、英特尔、三星、格芯等晶圆代工厂和IDM，相继大力投入MRAM 研发，而且主要着眼于STT-MRAM，也有越来越多的嵌入式解决方案诞生，用以取代Flash、EEPROM和SRAM。

台积电就与中国台湾地区工研院签订了MRAM合作发展计划。近些年，该公司一直在开发22nm制程的嵌入式STT-MRAM，采用超低漏电CMOS技术。

台积电进行了eMRAM芯片的“风险生产”，2019年生产采用22nm制程的eReRAM芯片。

台积电在嵌入式非易失性存储器技术领域达成数项重要的里程碑：在40nm制程方面，该公司已成功量产Split-Gate（NOR）技术，支持消费类电子产品应用，如物联网、智慧卡和MCU，以及各种车用电子产品。在28nm制程方面，该公司的嵌入式快闪存储器支持高能效移动计算和低漏电制程平台。

台积电发布了基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT-MRAM。该技术基于台积电的22nm ULL（Ultra-Low-Leakage）CMOS工艺，具有10ns的极高读取速度，读取功率为0.8mA/MHz/bit。对于32Mb数据，它具有100K个循环的写入耐久性，对于1Mb数据，具有1M个循环的耐久性。它支持在260°C下进行90s的IR回流焊，在150°C下10年的数据保存能力。它以1T1R架构实现单元面积仅为0.046平方微米，25°C下的32Mb阵列的漏电流仅为55mA。

三星28nm制程FD-SOI（28FDS）嵌入式NVM分两个阶段。第一个是2017年底之前的电子货币风险生产，第二个是2018年底之前的eMRAM风险生产。并同时提供eFlash和eMRAM（STT-MRAM）选项。

三星开始在28nm平台上批量生产eMRAM。2019年3月，该公司推出首款商用eMRAM产品。据悉，eMRAM模块可以通过添加三个额外的掩膜集成到芯片制造工艺的后端，因此，该模块不必要依赖于所使用的前端制造技术，允许插入使用bulk、FinFET或FD-SOI制造工艺生产的芯片中。三星表示，由于其eMRAM在写入数据之前不需要擦除周期，因此，它比eFlash快1000倍。与eFlash相比，它还使用了较低的电压，因此在写入过程中的功耗极低。

Arm发布了基于三星28FDS工艺技术的eMRAM编译器IP，包括一个支持18FDS (18nm FD-SOI工艺)的eMRAM编译器。这一平台有助于推动在5G、AI、汽车、物联网和其它细分市场的功耗敏感应用领域的前沿设计发展。

三星发布了采用28FDS工艺技术的1Gb嵌入STT-MRAM。基于高度可靠的eMRAM技术，在满足令人满意的读取，写入功能和10年保存时间的情况下，可以实现90％以上的良率。并且具备高达1E10周期的耐久性，这些对于扩展eMRAM应用有很大帮助。

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