Mentor宣布将为基于Arm的eMRAM编译器IP提供IC测试解决方案，该方案基于三星的28FDS工艺技术。测试方案利用了Mentor的Tessent Memory BIST，为SRAM和eMRAM提供了一套统一的存储器测试和修复IP。

Globalfoundries已经在其22FDX（22nm制程的FD-SOI工艺技术）制程中提供了MRAM，同时也在研究另一种存储技术。

由于Globalfoundries重点发展FD-SOI技术，特别是22nm制程的FD-SOI，已经很成熟，所以该公司的新兴存储技术，特别是MRAM，都是基于具有低功耗特性的FD-SOI技术展开的。

Globalfoundries宣布基于22nm FD-SOI 平台的eMRAM投入生产。该eMRAM技术平台可以实现将数据保持在-40°C至+125°C的温度范围内，寿命周期可以达到100,000，可以将数据保留10年。该公司表示，正在与多个客户合作，计划在2020年安排多次流片。

公司的eMRAM旨在替代NOR闪存，可以定期通过更新或日志记录进行重写。由于是基于磁阻原理，在写入所需数据之前不需要擦除周期，大大提高了写入速度，宏容量从4-48Mb不等。

英特尔也是MRAM技术的主要推动者，采用的是基于FinFET技术的22 nm制程。

一款基于22nm FinFET制程的STT-MRAM，基于FinFET的MRAM产品，并表示已经具备该技术产品的量产能力。

由于市场需求愈加凸显，且有各大晶圆厂大力投入支持，加快了以MRAM为代表的新兴存储技术的商业化进程。未来几年，虽然DRAM和NAND Flash将继续站稳存储芯片市场主导地位，但随着各家半导体大厂相继投入发展，新兴存储器的成本将逐步下降，可进一步提升 MRAM等技术的市场普及率。

两种带有IO-link的新型旋转霍尔效应传感器：ACW4单匝和TCW4多匝模块化旋转霍尔效应传感器。

IO-link集成标准化了传感器的输出，因此它们可以在任何启用IO-Link的现场总线网络中进行通信，从而简化了安装和更换。新的接口功能允许从ERP一直到组件级别的传感器连接-支持工业4.0和工业物联网（IIoT）环境。

使用IO-link简化了设计定制IO盒以将各种传感器输出转换为适用于应用的现场总线标准的需求，从而节省了空间和开发成本。通过这种标准化的通信方法，ACW4和TCW4传感器可以提供直接连接到任何IO链接主站的数字点对点信号。由于IO链接主站具有各种现场总线接口，因此系统中现有的现场总线部分可以保持不变。IO链接还提供通用电源功能，从而进一步简化了系统的设计。 

ACW4和TCW4旋转霍尔效应传感器的IO-link功能包括：

24 V操作

IO-link标准规定的最大20 m连接长度

增强的诊断和“记录保存”功能

超出规格或警告情况的事件通知

产品的第二代产品还利用IO-link标准，使用户能够从传感器访问其他诊断数据。用户现在可以监控内部温度，运行时间，电压水平和同步等参数，以识别异常情况。

数据使操作员可以更好地了解传感器的健康状况，并安排计划内的维护工作，从而避免代价高昂的停机时间。电子设备包含在IP65等级的超模压塑料外壳中，可保持环境密封。这些旋转霍尔效应传感器的厚度约为11毫米，非常紧凑且扁平。磁铁组件是单独的，并且有一系列磁铁支架可用于各种安装。小尺寸和两部分配置的结合为开发人员提供了额外的设计灵活性。

新型带IO-link的ACW4和TCW4旋转位置传感器非常适合在检查，包装，分拣和码垛设备中常见的机器人和输送机应用中使用，其中IO-link有助于维持系统的平稳运行，最大程度地减少物料损失并改善包装准确性和交付。