台积电还将在5nm和3nm工艺制程之间推出4nm工艺制程。

将启动4nm工艺作为5nm工艺的延伸。4nm工艺将兼容5nm工艺的设计规则，较5nm工艺更有性价比优势，瞄准的是下一波的5nm产品，计划在2022年大规模量产。

3nm沿用FinEFT技术，主要是考量客户在导入5nm制程的设计也能用在3nm制程中，无需面临需要重新设计产品的问题，台积电可以保持自身的成本竞争力，获得更多的客户订单。

3nm工艺将会在2022年下半年大规模量产，4nm工艺作为5nm工艺的延伸，可能会在上半年量产。并且3nm工艺是继5nm之后台积电全新一代的芯片制程工艺节点，与今年的5nm工艺相比，3nm工艺的晶体管密度提高了15%，性能提高了10-15%，能源效率也提高了20-25%。

制造商: Texas Instruments产品种类: 低压差稳压器

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-5

输出电压: 1.24 V to 5 V

输出电流: 3 A

输出端数量: 1 Output

极性: Positive

最大输入电压: 5.5 V

最小输入电压: 2.8 V

输出类型: Adjustable

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

回动电压: 150 mV

系列: TPS758A01

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 4.58 mm

长度: 10.16 mm

工作温度范围: - 40 C to + 125 C

宽度: 8.42 mm

商标: Texas Instruments

回动电压—最大值: 300 mV at 3 A

电压调节准确度: 3 %

Ib - 输入偏流: 125 uA

线路调整率: 0.04 % / V

负载调节: 0.15 %

湿度敏感性: Yes

工作电源电流: 120 uA

产品类型: LDO Voltage Regulators

参考电压: 1.24 V

工厂包装数量: 500

子类别: PMIC - Power Management ICs

单位重量: 1.456 g

电源管理半导体本中的主导部分是电源管理IC，大致可归纳为下述8种：

AC/DC调制IC。内含低电压控制电路及高压开关晶体管。

DC/DC调制IC。包括升压/降压调节器，以及电荷泵。

功率因数控制PFC预调制IC。提供具有功率因数校正功能的电源输入电路。

脉冲调制或脉幅调制PWM/ PFM控制IC。为脉冲频率调制和/或脉冲宽度调制控制器，用于驱动外部开关。

线性调制IC（如线性低压降稳压器LDO等）。包括正向和负向调节器，以及低压降LDO调制管。

电池充电和管理IC。包括电池充电、保护及电量显示IC，以及可进行电池数据通讯“智能”电池 IC。

热插板控制IC（免除从工作系统中插入或拔除另一接口的影响）。

MOSFET或IGBT的驱动IC。