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外部磁场的辐射干扰引起的感应低频交流声

发布时间:2020/6/27 23:36:03 访问次数:2158

XC5210-3PQ160屏蔽法:主要用来判断元器件是否是受到外部磁场的辐射干扰引起的感应低频交流声,高频震荡等故障。通过对某一放大级的电路或某只放大管以及输入信号线等,用屏蔽试验找到故障点。

震动法:当音箱中有断续或时有时无的异常声音时,往往是某元器件松动,假焊等接触性故障。由于该故障隐蔽性较大又是时有时无,这时可适当震动放大器或轻击、拨动元器件使故障点充分暴露。

碰触法:对于无声或声弱故障时可用金属工具从放大器各管栅极(身体其它部位不得与机箱接触以免被电击或人体感应信号变弱)加以人体的感应信号给放大器,以听音箱声音的大小来判断故障范围。应从后级逐级往前,声音也应越来越大,如碰触到某一级无声或声弱时则表明故障就在此级。

二极管,在电子元件当中,是一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断(称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。

反向特性在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。

(素材来源:21IC和ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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XC5210-3PQ160屏蔽法:主要用来判断元器件是否是受到外部磁场的辐射干扰引起的感应低频交流声,高频震荡等故障。通过对某一放大级的电路或某只放大管以及输入信号线等,用屏蔽试验找到故障点。

震动法:当音箱中有断续或时有时无的异常声音时,往往是某元器件松动,假焊等接触性故障。由于该故障隐蔽性较大又是时有时无,这时可适当震动放大器或轻击、拨动元器件使故障点充分暴露。

碰触法:对于无声或声弱故障时可用金属工具从放大器各管栅极(身体其它部位不得与机箱接触以免被电击或人体感应信号变弱)加以人体的感应信号给放大器,以听音箱声音的大小来判断故障范围。应从后级逐级往前,声音也应越来越大,如碰触到某一级无声或声弱时则表明故障就在此级。

二极管,在电子元件当中,是一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断(称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。

将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。

反向特性在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。

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