TriQuint新的解决方案将通常由外部元件整合的关键功能集成在芯片上和封装之内，因而简化了射频设计。新的低噪放还解决TDD-LTE市场对集成数字关机偏置能力日益增长的要求，并且可以从偏置电压+3 V至+5 V提供高性能，无需负电源电压。偏置网络通过电流反射镜和反馈电保持对温度变化的稳定性；并且还提供了数字断电功能的开关电路。TriQuint的新低噪声放大器已经进行了最优化的片上配置，来提供最佳的噪声系数、线性度和可靠性的组合。

这两款TriQuint的新器件都与TriQuint产品组合中同类产品引脚兼容，并安装在符合RoHS规范的行业标准，2x2毫米，8引脚DFN的封装。他们是极为坚固的器件,  能阻断高功率干扰输入信号或大于 +22 dBm的发射功率泄漏 。这些器件还绝对稳定，可消除潜在的振荡。TQP3M9036和TQP3M9037均内部匹配50欧姆，操作时不需要任何外部匹配电路。

四款业内容量最大、速度最快的新器件，扩展了其串行SRAM产品组合。这些器件还是业内首批5V工作的产品，广泛适用于汽车和工业应用。这些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了产品组合的低功耗和小型8引脚封装，成本较低，10,000片起批量供应。通过四路SPI或SQI™协议可实现高达80 Mbps的速度，为卸载图形、数据缓冲、数据记录、显示、数学、音频、视频及其他数据密集型功能提供所需的近乎瞬时数据传送及零写入时间。

23LCV512和23LCV1024——通过电池备份提供了业内无限耐用性、非易失性RAM最具成本效益的选择。事实上，凭借其40 Mbps的快速双SPI（SDI）吞吐量以及低运行电流和休眠电流，这些串行NVSRAM器件可以高速工作，没有并行NVSRAM高引脚数的缺点，其功耗可媲美FRAM，且价格更为低廉。这将有利于电表、黑匣子及其他数据记录应用，这些应用需要无限耐用性或瞬时写入以及非易失性存储。

2.25V 至 5.5V 系统的高准确度温度传感器LTC2996。该器件以  ±1°C 的准确度测量远端二极管的温度，并以  ±2°C 的准确度测量其自身的芯片温度，同时抑制由噪声和串联电阻引起的误差。LTC2996 提供与绝对温度 (VPTAT) 成比例的输出、以及单独和由用户可调门限定义的欠温和过温报警信号输出。配置该器件无需代码。LTC2996 具有 200μA 静态电流，可简单地提供精确和节省空间的微功率温度监视解决方案。

LTC2996 有商用、工业和汽车温度级版本，分别支持 0°C 至 70°C、-40°C 至 85°C 和 -40°C 至 125°C 的工作温度范围。LTC2996 采用符合 RoHS 要求的 10 引脚、3mm x 3mm DFN 封装

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