TLE4201A1旁路电容还允许交流泄漏及瞬变跨隔离栅从一个接地层耦合至另一个接地层。虽然旁路电容一般很小，但高压高速瞬变可通过此电容跨隔离栅注入大量电流。如果应用需承受恶劣的电磁瞬变，如静电放电、电快速瞬变和浪涌，也必须考虑到这一点。

无论是分立式还是嵌入式，使用旁路电容都不是理想的抑制技术。它虽然可以帮助减少辐射发射，却要以增加组件、采用复杂的PCB布局和提高瞬态敏感性为代价。理想的抑制技术不需要采用旁路电容，因此可以降低成本和PCB设计的复杂性。

集成的隔离电源组件应该包含降低芯片辐射发射的措施，无需在外部额外增加复杂的措施，即可确保通过系统级辐射发射测试。这样一来，只需将组件放置到2层板上，即可通过严格的辐射发射测试，而无需多次制作电路板。

低辐射发射隔离器，下一代isoPower®系列产品采用创新的设计技术，可以避免产生大量辐射发射，甚至在没有旁路电容的2层板上也不例外。ADuM5020和ADuM5028在以大幅裕量满足CISPR22/EN55022B类限制的同时，可以分别跨隔离栅提供500mW和330mW功率。

ADuM5020采用16引脚宽体SOIC封装，而对于ADuM5028，可以选择的最小封装是8引脚SOIC。ADuM5020/ADuM5028提供3V和5V两种电源选项，以及3kV rms额定隔离。

为了减少辐射发射，ADuM5020/ADuM5028具有出色的线圈对称性和线圈驱动电路，有助于将通过隔离栅的CM电流传输最小化。扩频技术也被用来降低某一特定频率的噪声浓度，并将辐射发射能量扩散到更广泛的频段。在次级端使用低价铁氧体磁珠会进一步减少辐射发射。在RE合规测试期间，这些技术可以改善峰值和准峰值测量水平。

ADuM5020和铁氧体特性曲线，放置在靠近VISO和GNDISO引脚的次级端铁氧体磁珠。这些铁氧体在宽频率范围内具有高阻抗(100MHz时为1800Ω，1GHz时为2700Ω)。这些铁氧体降低了偶极的有效辐射效率。因为铁氧体磁珠的阻抗，CM电流环减小，偶极的有效长度明显缩短，使得偶极效率降低，辐射发射减少。

ADuM5020/ADuM5028提供适用于隔离设计的直流-直流即用型电源解决方案，满足以下辐射发射和产品标准要求：

X CISPR 22/EN 55022(B类)：信息技术设备

CISPR11/EN55011(B类)：工业、科学和医疗设备

X IEC 61000-6-4：通用标准—工业环境的辐射发射标准

X IEC 61000-6-3：通用标准—住宅、商业和轻工业环境的辐射发射标准

IEC 61131-2：可编程控制器—第2部分：设备要求和测试

X IEC 621326：用于测量、控制及实验室用途的电气设备

X EMC要求—第1部分：一般要求

IEC 60601-1-2：医疗电气设备第1-2部分：基本安全和基本性能的一般要求—附加标准：电磁干扰—要求和测试.

(素材来源：ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢）

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