隔离式电源辐射发射抑制技术

发布时间:2020/5/27 13:22:13 访问次数:675

IEC 61800-3：变速电力驱动系统—第3部分：EMC要求和具体的测试方法

IEC 63044-5-1：家用和建筑电子系统(HBES)及建筑自动化和控制系统(BACS)—第5-1部分：EMC要求、条件和测试设置，减少隔离设计中的复杂性和矛盾

设计隔离式电源可能是设计过程中最具挑战性的一个方面。构建一个解决方案需要权衡各种设计需求，且需要遵守全球多个不同地区的法规要求。由此做出的牺牲往往带来了尺寸、重量和性能方面的负面影响，或者降低了满足EMC标准的能力。

为了顺利满足EMC标准，可以在设计阶段的早期采用已经通过行业标准验证的器件。EMC应该纳入到设计过程中，而不是事后才考虑。采用诸如旁路电容之类的抑制技术会降低电子系统抗瞬变的能力，并增加成本和设计复杂性。

W229BHT下一代isoPower系列产品提供辐射发射抑制技术，无需具备旁路电容，仍可满足EN55022/CISPR22B类标准要求。ADuM5020/ADuM5028采用扩频技术，可降低任意频率下的功率水平。出色的设计、变压器线圈对称性和两个低价小铁氧体的使用有助于减少跨隔离栅流向次接地层的CM电流。ADM5020/ADuM5028满足CISPR 22/EN 55022 B类要求，在2层PCB上具有大幅裕量，无需采用成本高昂的PCB级RE抑制技术，因此可降低成本。

型号：FZ2400R12KE3

制造商：英飞凌Infineon/EUPEC

产品种类：IGBT 模块

品质：全新原装

电压：1200 V

电流：2400 A

工作温度:145C

BSM100GB60DLC 模块性能：

绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱

动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载

流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综

合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系

统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

ES8374技术支持高性能和低功耗的多位delta-sigma音频ADC和DAC提供样品测试板设计指南 151 1247 6010 莫先生，qq 238 396 0712 。I2S/PCM主或从串行数据端口两对模拟输入差分输入选项Mono模拟输出256/384Fs, USB 12/24 MHz，分数用于多种系统时钟的锁相环标准音频时钟输出复杂的模拟输入和输出路由，混合和增益GPIOI2C接口ADC模拟转数字24位，8至96 kHz采样频率95分贝的信噪比，-85分贝THD + N低噪声前置放大器降噪过滤器