SST25VF010-20-4C-SAE标准适用于为工业、科学和医疗(ISM)目的而设计的产生射频能量的设备。在标准范围内，设备可能分为两组。第2组包含有意生成并在局部使用射频能量的所有ISM RF设备。第1组包含此标准范围内不属于第2组的所有设备。

此标准适用于满足下述条件的信息技术设备(ITE)：主要功能是将输入、存储、显示、检索、传输、处理、交换或控制数据和电信信息结合起来，可能配备一个或多个终端端口，通常用于传输信息。

在各个标准下，设备被进一步分类，每个类别需遵循一组单独的排放限制：

A类：用在工业应用和非住宅区的设备

B类：用在住宅环境中的设备

由于B类限制覆盖的是住宅(或轻工业)环境，而这种环境中的产品更有可能彼此非常接近(广播和电视接收器的10米范围内)，因此更加严格(比A类低10dB之多)，以免引起干扰问题。

显示了与CISPR11/EN55011和CISPR22/EN55022相关的A类和B类限制线。在这个频率范围内，符合CISPR22/EN55022B类标准意味着也符合CISPR11/EN55011B类标准。

50%的产品首次EMC测试都以失败告终。这可能是因为缺乏相关知识，且未能在产品设计阶段的早期应用EMC设计技术。如果在功能设计完成之前一直忽略EMC问题，通常会带来耗费时间且代价高昂的挑战。此外，随着产品开发过程的不断深入，能够用来解决EMC问题的技术也越来越少，因为产品方面的更改必将导致计划超时和成本增加。

想要最大限度地缩短设计时间和降低项目成本，在项目开始时就进行EMC设计是至关重要的。组件的选择和放置也很重要。将符合行业标准的器件纳入选择和设计可以提高合规性。

与使用分立式变压器的传统方法相比，将变压器和电路集成到芯片级封装中可减少组件数量，进而大大节省PCB空间，但可能会引入更高的辐射发射。辐射发射抑制技术会使PCB的设计更加复杂，或需要额外组件，因此可能会抵消集成变压器所节省的成本和空间。

在PCB级别抑制辐射发射的一种常见方法是为CM电流形成一个从次级端至初级端的低阻抗路径，从而降低RE水平。要实现这一点，可以在初级端和次级端之间使用旁路电容。该旁路电容可以是分立式电容，也可以是嵌入式夹层电容。

分立式电容是最简单的解决方案，可能是有引线或表面安装组件。它还具有适用于2层PCB的优点，但分立式电容价格昂贵且体积庞大，会占用宝贵的PCB空间，特别是在可能堆叠了多个组件的隔离栅旁。

另一个不是很理想的解决方案是使用嵌入式旁路电容，当PCB中的两个面重合时就会形成该电容。此类电容具有一些非常有用的特性，原因在于平行板电容的电感极低，因此在更大的频率范围内都有效。它可以提高发射性能，但因为需要自定义层厚来获得正确的电容，且PCB需要四层或更多层，所以设计复杂性和成本都会增高。此外，还必须通过隔离的方式，确保内部重叠层的间距满足相关隔离标准所规定的最低距离标准。

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