产品的漏源导通电阻降低
发布时间:2020/4/8 21:48:35 访问次数:4925
CS5036E是一款采用CMOS工艺升压型开关稳压器,其主要包括一个参考电压源,一个振荡电路,一个误差放大器,一个相位补偿电路,通过PWM/PFM切换控制电路。CS5036E内置MOS的设计,只需极简的外围电路,可以大限度的保证电源模块的可靠性以及避免电源模块设计的复杂化。CS5036E高可提供13V恒定的电压输出;可保证9A的 均值电流下负载稳定工作.低至2.5V的启动电压,3~12V的宽工作电压范围,可大限度的适用于各种终端设备。
CS5036E提供了EQA16的封装类型,其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。

特征
输入电压范围:3~12V
可调电压输出高至 13V
软启动功能
高93%的效率
振荡频率: 350KHz
精准的反馈参考电压: 1V (±2%)
内置17mΩ, 12A, 15V 的 MOSFET
关断电流: <36μA
过温保护
过压保护
封装: EQA16L
应用
音箱产品、电动工具、数码相机、手持设备、移动终端

CS8318C三节锂电铅酸电池供电 三种防破音模式,33W单声道R类功放IC。管脚兼容CS8316C 性价比更好。
供电电压:9V-14V
三种防破音模式可选
内置BOOST模块R类结构至15.5V,集成AB类D类两种模式
优异的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)杂音抑制能力
自适应升压功能
高84%的效率
CS8318C提供了纤小的的TSSOP24-PP封装形式供客户选择,其额定的工作温度范围为-40℃至85℃
PWM频率330KHZ
过流保护,短路保护和过热保护
符合Rohs标准的无铅封装

新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。
新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。
采用了其最新一代的工艺制造技术,与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比,新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构,漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此,新产品可提供业界最低[3]功耗。
东芝正在扩展其降耗型产品线,从而为降低设备功耗提供帮助。
应用:
开关电源(高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等)
电机控制设备(电机驱动等)
RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)
RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)
高额定通道温度:Tch=175℃
总栅极电荷(栅源+栅漏)、栅极开关电荷、输出电荷。
与TPH4R008NH(U-MOS Ⅷ-H系列)进行比较,TPH2R408QM的漏源导通电阻x总栅极电荷改善约为15%、漏源导通电阻 x 栅极开关电荷改善约为10%、漏源导通电阻x输出电荷改善约为31%。
深圳市金嘉锐电子有限公司http://xczykj.51dzw.com/
(素材来源:ttic和eechina.如涉版权请联系删除。特别感谢)
CS5036E是一款采用CMOS工艺升压型开关稳压器,其主要包括一个参考电压源,一个振荡电路,一个误差放大器,一个相位补偿电路,通过PWM/PFM切换控制电路。CS5036E内置MOS的设计,只需极简的外围电路,可以大限度的保证电源模块的可靠性以及避免电源模块设计的复杂化。CS5036E高可提供13V恒定的电压输出;可保证9A的 均值电流下负载稳定工作.低至2.5V的启动电压,3~12V的宽工作电压范围,可大限度的适用于各种终端设备。
CS5036E提供了EQA16的封装类型,其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。

特征
输入电压范围:3~12V
可调电压输出高至 13V
软启动功能
高93%的效率
振荡频率: 350KHz
精准的反馈参考电压: 1V (±2%)
内置17mΩ, 12A, 15V 的 MOSFET
关断电流: <36μA
过温保护
过压保护
封装: EQA16L
应用
音箱产品、电动工具、数码相机、手持设备、移动终端

CS8318C三节锂电铅酸电池供电 三种防破音模式,33W单声道R类功放IC。管脚兼容CS8316C 性价比更好。
供电电压:9V-14V
三种防破音模式可选
内置BOOST模块R类结构至15.5V,集成AB类D类两种模式
优异的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)杂音抑制能力
自适应升压功能
高84%的效率
CS8318C提供了纤小的的TSSOP24-PP封装形式供客户选择,其额定的工作温度范围为-40℃至85℃
PWM频率330KHZ
过流保护,短路保护和过热保护
符合Rohs标准的无铅封装

新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。
新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。
采用了其最新一代的工艺制造技术,与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比,新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构,漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此,新产品可提供业界最低[3]功耗。
东芝正在扩展其降耗型产品线,从而为降低设备功耗提供帮助。
应用:
开关电源(高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等)
电机控制设备(电机驱动等)
RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)
RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)
高额定通道温度:Tch=175℃
总栅极电荷(栅源+栅漏)、栅极开关电荷、输出电荷。
与TPH4R008NH(U-MOS Ⅷ-H系列)进行比较,TPH2R408QM的漏源导通电阻x总栅极电荷改善约为15%、漏源导通电阻 x 栅极开关电荷改善约为10%、漏源导通电阻x输出电荷改善约为31%。
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