TLV342SIRUGRON Semiconductor XS™DrMOS模块系列是下一代完全优化的、超紧凑的集成MOSFET +驱动电源级解决方案，适用于大电流、高频、同步降压DC-DC应用。这些DrMOS模块集成了一个驱动芯片，两个功率mosfts和一个自举肖特基二极管到一个热增强，超紧凑的6x6mm PQFM封装。综合方法提供了一个完整的功率级，优化了驱动器和MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET RDS(ON)。ON Semiconductor的XS™DrMOS采用高性能power堑壕®MOSFET技术，极大地减少了开关振铃，在大多数降压变换器应用中无需缓冲电路。

 

特性

与传统的离散解决方案相比，超紧凑6x6mm节省空间

充分优化系统效率

最高效率93%以上

跳过模式下输入

ON半导体power堑壕®技术mosfts用于清洁电压波形和减少振铃

基于半导体SyncFET(集成肖特基二极管)技术的低侧MOSFET

集成自举肖特基二极管

优化的开关频率高达1兆赫

Low-Powfile SMD包装

对半导体绿色包装和RoHS的符合性

应用程序

笔记本电脑

高性能游戏主板

紧凑刀片服务器和工作站，v核和非v核DC-DC转换器

台式电脑，v核和非v核DC-DC转换器

工作站

大电流DC-DC负载点(POL)变换器

网络和电信微处理器调压器

小型形状因数调压器模块

 

碳化硅 (SiC) MOSFET 使用的技术与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、温度独立的开关特性和出色的热性能，使碳化硅成为下一代功率半导体材料。系统优势包括极高的能效、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的 EMI 和更低的系统尺寸和成本。

特性

易于并联

高浪涌电流电容

最高结温：+175 °C

没有反向恢复/没有正向恢复

更高的开关频率

低正向电压 - VF

正温度系数

通过 AEC-Q101 鉴定，具有 PPAP 能力

应用

汽车 HEV-EV DC/DC 转换器

汽车 HEV-EV 车载充电器

工业电源

PFC

太阳能

UPS

焊接

 

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