V42254B7200C933沟槽栅结构沟槽（Trench）意为凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其侧壁形成MOSFET栅极的结构。不存在平面型MOSFET在结构上存在的JFET电阻，比平面结构更容易实现微细化，有望实现接近SiC材料原本性能的导通电阻。电感分量表示电流变化时由电磁感应产生的电动势大小的量。

传统的3引脚封装（TO-247N）中，源极引脚的电感分量※2）会引起栅极电压下降，并导致开关速度延迟。

此次，SCT3xxx xR系列所采用的4引脚封装（TO-247-4L），可以分离电源源极引脚和驱动器源极引脚，因此，可减少电感分量的影响。这样，能够充分地发挥出SiC MOSFET的高速开关性能，尤其是可以显著改善导通损耗。与以往产品相比，导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35％的损耗。

新产品“BV2Hx045EFU-C”是业界首款*利用独有的过电流保护功能，可独立保护系统免受过电流影响的智能高边开关。普通产品仅支持启动时的浪涌电流保护，启动后的稳态电流使用微控制器和过电流检测IC等进行过电流保护，受与智能高边开关输出端的后段电路之间的相性影响，有失控的可能性。而新产品则可以独立地保护系统免受浪涌电流和稳态电流中的过电流的影响，因此，与普通产品的解决方案相比，可提供可靠性高、部件数量少的解决方案，有助于打造更安全的系统。另外，过电流保护的范围还可以通过外置部件进行自由调整，因此可使用于各种系统。

本产品已于2019年6月开始出售样品，计划于2020年1月开始暂以月产100万个的规模投入量产。前期工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本京都），后期工序的生产基地为ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰国）。

未来，ROHM将继续开发高可靠性、高性能的元器件，为汽车领域的安心、安全及环保贡献力量。

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