SKKE15/08它的主要缺点是制造工艺要求高,功耗大。其逻辑摆幅小,噪声容限只有0.2V左右,因而抗干扰能力较弱。而且由于输出电压为负值,若需要与其他门电路接口,就要用专门的电平移动电路。

双极型逻辑门电路除了TTL和ECL之外,尚有集成注入逻辑门电路(IIL①或I2L)和高阈值逻辑门电路(HTL②)。由于IIL电路简单,易于在硅片上实现高集成度的器件,因而它在大规模和超大规模集成电路中得到应用,但不制成单个集成门电路。由于它的高、低电平电压差值很小,抗干扰能力较差,因而这种门电路的推广受到限制。至于HTL,虽然它有较强的抗干扰能力,但它的功耗大,开关速度也不高,已不生产。

ECL门电路为什么具有很高的开关速度?该类电路有什么特点?

由GaAs材料制成的N沟道场效应管,称为金属一半导体场效应管(MES-FET)。它的栅极金属与N沟道表面接触形成肖特基势垒区,与硅JFET中栅极与沟道间的PN结类似,工作原理也类似。由于砷化镓器件中载流子的迁移率非常高,因而其工作速度比硅器件快得多。在MESFET管构成的逻辑电路中,应用较多的有直接

耦合FET逻辑门电路、耗尽型FET逻辑门电路以及肖特基二极管FET逻辑门电路。

直接耦合FET逻辑电路,由MESFET管组成的直接耦合FET反相器如图3.4.1所示,图中增强型管T1为工作管,耗尽型管vIT2为负载管,下一级门电路的T3作为负载。增强型管的开启电压‰E为0.1~0.3Ⅴ;耗尽型管的夹断电压%D为=0.7~工1V。由于栅极和沟道间存在肖特  图3.4.1 直接耦合基势垒二极管,使MESFET管导通时的栅源电压vcs  MESFET反相器为0.7Ⅴ。该电路输入信号的高、低电平分别为0.63Ⅴ和0.54V;输出信号的高、低电平分别为0.7Ⅴ和0.17V。