SLC88B17QFP当输人端A、B都接低电平时由于T3的基极电位比Tl的高,因此T3优先导通,使发射极的电位vE=VREF-VBE3=-2V。这时T1、T2管发射结压降只有0.25V,因此T1、T2同时截止。若忽略T4基极电流在Rel上的压降,则vc1=0Ⅴ,U01=-VBE5=-0,7Ⅴ,即出1输出为ECL逻辑高电平。

T3导通,流过Re的电流由T3提供,IE=(vE-VEE)/Re≈4.1 mA。忽略T5基极电流,可以求得T3集电极电位vc3=-IERC3=-1Ⅴ。U02=vc3-VBE5=-1.7V,即L2为逻辑低电平。

另外,导通的T3管集电结反偏,所以T3处于放大状态,而不是饱和状态。

当输入端⒕、B中有一个接高电平(设A接高电平)时由于vA)yRw,所以T1优先导通,使vE=vA-7:E1=-1,6V,此时加到T3管发射结压降只有0.3V,故T3截止。忽略Rc3上的压降,‰=-0.7V,E2为高电平输出。TI导通使Rc的电流为IE=(vE-‰E)/Re=4.6 mA,该电流在Rcl上产生压降,使Tl集电极电位Uc1=-IEFc1=-1V,‰=-1,7V,L1为低电平输出。同样,T1的集电结近似为零偏,也未工作在饱和状态。

由于T1和T2管是并联在一起的,只要处、B中有一个接高电平,都会使U1为低电平,而出2为高电平。因此

L1=处+B   或非输出

L2=A+B    或输出

即ECL门的基本逻辑功能是同时具备或非/或输出,称之为互补逻辑输出。

不论是哪个BJT导通,所形成的发射极电流IE都是很接近的,输入信号就像开关一样,控制T1、T2或T3给Re提供站这个电流,所以ECL电路又称为电流开关型电路(CML①)。

以上所述的是具有A、B两个输人端的或非电路,只要增加相同类型的BJT与T1并联,就能增加门电路的输入端数。

ECL门电路的实际电路,图3,3.2所示是ECL门的电路实例。其中T1~T4组成多端输人,并与T5组成射极耦合电路。T6组成一个简单的电压跟随器,它为T5提供一个参考电压/R”。为了补偿温度漂移,在T6的基极回路接人了两个二极管。T7和T:组成电压跟随器。

ECL门电路的工作特点

BJT工作在截止区或放大区,集电极电位总高于基极电位,这就避免了BJT因工作在饱和状态而产生的存储电荷问题。

逻辑电平的电压摆幅小,只有0.8V左右。集电极输出电压的变化小,这不仅有利于电路的转换,而且可采用很小的集电极电阻Rc。因此ECL门的负载电阻总是在几百欧的数量级,使输出回路的时间常数比一般饱和型电路小,因而开关速度快,常用于高速系统中。