位置:51电子网 » 技术资料 » D S P

PTMA402050N1AD涤纶电容器

发布时间:2019/9/27 13:11:23 访问次数:816

PTMA402050N1AD安规电容是指用于这样的场合,即电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全。它包括了X电容和Y电容。X电容是跨接在电力线两线(L-N)之间的电容,一般选用金属薄膜电容;Y电容是分别跨接在电力线两线和地之问(L-E,N-E)的电容,一般是成对出现。基于漏电流的限制.Y电容值不能太大.一般X电容是u「级,Y电容是nF级。X电容抑制差模干扰,Y电容抑制共模干扰。安规电容的外形如图3-3所示。

       

瓷介电容器(CC) 瓷介电容器是用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属(银)薄膜,再经高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器有I类电介质(NPO、CCG)、Ⅱ类电介质(X7R、2X1)、Ⅲ类电介质(Y5V、2F4)三种类型。

天学通电子元器件及电路

I类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最大容量不超过1000pF,主要应用于高频电路中。常用的I类瓷介电容器有CC1、CC2、CC18A、CC11、CCG等系列。

Ⅱ、Ⅱ类瓷介电容器其特点是材料的介电系数高、容量大(最大容量可达0.47uF)、体积小、损耗和绝缘性能较I类的差。广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。常用的Ⅱ、Ⅲ类瓷介电容器有CT1、CT2、CT3三种系列。瓷介电容器的外形如图3-4所示。

        

涤纶电容器(CL) 涤纶电容器,是用有极性聚酯薄膜为介质制成的具有正温度系数(即温度升高时,电容量变大)的无极性电容。具有耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低的优点,一般应用于中、低频电路中。常用的涤纶电容器型号有CLll、CL21等系列。涤纶电容器的外形如图3-5所示。

      

聚苯乙烯电容器(CB) 聚苯乙烯电容器主要有箔式和金属化式两种类型。箔式电容器具有绝缘电阻大、介质损耗小、容量稳定、精度高的优点,其缺点是体积大、耐热性较差。金属化式电容器具有绝缘电阻偏低、击穿后能自愈的优点,其防潮性和稳定性较箔式好,但高频特性差,一般应用于中、高频电路中。常用的型工作电压.


PTMA402050N1AD安规电容是指用于这样的场合,即电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全。它包括了X电容和Y电容。X电容是跨接在电力线两线(L-N)之间的电容,一般选用金属薄膜电容;Y电容是分别跨接在电力线两线和地之问(L-E,N-E)的电容,一般是成对出现。基于漏电流的限制.Y电容值不能太大.一般X电容是u「级,Y电容是nF级。X电容抑制差模干扰,Y电容抑制共模干扰。安规电容的外形如图3-3所示。

       

瓷介电容器(CC) 瓷介电容器是用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属(银)薄膜,再经高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器有I类电介质(NPO、CCG)、Ⅱ类电介质(X7R、2X1)、Ⅲ类电介质(Y5V、2F4)三种类型。

天学通电子元器件及电路

I类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最大容量不超过1000pF,主要应用于高频电路中。常用的I类瓷介电容器有CC1、CC2、CC18A、CC11、CCG等系列。

Ⅱ、Ⅱ类瓷介电容器其特点是材料的介电系数高、容量大(最大容量可达0.47uF)、体积小、损耗和绝缘性能较I类的差。广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。常用的Ⅱ、Ⅲ类瓷介电容器有CT1、CT2、CT3三种系列。瓷介电容器的外形如图3-4所示。

        

涤纶电容器(CL) 涤纶电容器,是用有极性聚酯薄膜为介质制成的具有正温度系数(即温度升高时,电容量变大)的无极性电容。具有耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低的优点,一般应用于中、低频电路中。常用的涤纶电容器型号有CLll、CL21等系列。涤纶电容器的外形如图3-5所示。

      

聚苯乙烯电容器(CB) 聚苯乙烯电容器主要有箔式和金属化式两种类型。箔式电容器具有绝缘电阻大、介质损耗小、容量稳定、精度高的优点,其缺点是体积大、耐热性较差。金属化式电容器具有绝缘电阻偏低、击穿后能自愈的优点,其防潮性和稳定性较箔式好,但高频特性差,一般应用于中、高频电路中。常用的型工作电压.


热门点击

 

推荐技术资料

业余条件下PCM2702
    PGM2702采用SSOP28封装,引脚小而密,EP3... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!