《半导体分立器件外壳通用规范》的改版过程,相比老版,GJB呢3A增加测镀金质量、镀镍质量的测试方法,这更能体现半导体分立器件封装外壳镀层质量测试的特殊性。 K4B1G1646G-BCH9增加了引线电阻、引线间电容的测试条件,使标准适应产品的发展方向,删除了老版中附录D中的试验方法,同时引用了GJB360A-1996、GJB548A-1996中的部分试验方法,标准结构上取消了原版中附录A、附录B、附录C、附录D以及正文中有关认证、检验职责、质量或检验大纲要求的制定、担保、不合格管理等方面的内容。

    第四类为半导体光电子器件封装外壳,依据GJB5侣8-200~s《半导体光电子器件外壳通用规范》进行试验,其检验项目包括外部目检、外形尺寸、镀层厚度、电特性与光特性(绝缘电阻、光窗光透过率、光窗平面度、透镜中心差)、引线牢固性(拉力、引线疲劳)、密封(细检漏、粗检漏)、引线镀覆粘附强度、镀金质量、键合强度(热压焊、超声焊、倒装焊)、芯片剪切、可焊性、热冲击、温度循环、耐湿、稳定性烘培、盐雾、机械冲击、扫频振动、恒定加速度等。    GJB5438 2005《半导体光电子器件外壳通用规范》是新制定的关于半导体光电子器件封装外壳,试验内容参考其他三类规范,突出了对光电子器件封装外壳的光特性的规定。此标准随着光电子器件和光电子器件封装外壳的发展,将会进一步完善。

   以上四大类标准规定了外壳需考核的性能指标,还规定了其需考核的环境适应性、物理可靠性的指标,总结起来标准中一般都包括下列试验项目:目检、物理尺寸、密封、温度循环、热冲击、引线牢固性、绝缘电阻、引线电阻、引线间电容、介质耐电压、镀层质量、键

合强度、可焊性(适用时)、耐湿、盐雾、机械冲击、恒定加速度等。其中目检、物理尺寸、镀层质量、密封、键合强度、可焊性都是考核外壳工艺质量的可靠性,温度循环、热冲击、耐湿、盐雾、机械冲击、恒定加速度考核其环境适应性。而绝缘电阻、引线电阻、引线间电容、介质耐电压则是考核其电特性。