光电导型红外探测器

   1.概述K4B2G1646Q-BIK0

   光电导型红外探测器主要由半导体多晶薄膜或单晶材料制成,可分为两种类型:本征光电导型红外探测器和杂质光电导型红外探测器。本征光电导型红外探测器通过吸收能量大于禁带宽度的光子产生本征激发,导致电阻发生变化,变化大小与入射辐射的强度成比例。杂质光电导型通过吸收能量比禁带宽度小的光子,激发杂质能级中的电子或空穴,从而产生杂质光电导,可以响应更长的工作波长,相应地具有较低的工作温度。不同类型的光电探测器具有不同的光谱响应特性,据此可将不同的探测器分为可见光探测器、近红外探测器和远红外探测器等。

   单元或小规模多元光电导型红外探测器主要用于扫描辐射计(扫描型热像仪、夜视仪)、红外分光计和光谱仪等仪器中。

   2.主要技术参数

  光电导型红外探测器的主要性能参数有探测率、响应率、截止波长、光敏面积、光敏数等。