砷化镓低噪声场效应晶体管

   砷化镓低噪声场效应晶体管是指应用于低噪声放大器的微波毫米波器件。FF0233ST1-R3000主要有GaAsMESFET、HEMT、PHEMT、InP HEMT、PHEMT,GaN HEMT,si CMOs等。GaAs低噪声FET,特别是PHEMT,在微波频率下的噪声性能远比硅器件好,是目前构成低噪声放大器的主导器件。主要技术参数有工作频率、带宽、噪声系数、相关增益。

    GaAs低噪声FET主要应用于微波低噪声放大器混合集成组件。微波低噪声放大器是接收机前端的重要部件,广泛应用于波通信、民用雷达、辐射检测等领域。

   氮化镓微波功率器件

   随着半导体技术迅猛发展,作为第三代宽禁带半导体材料之一的氮化镓(GaN)是最引人瞩目的,其化学性质稳定、耐高温、耐腐蚀、禁带宽度大、载流子饱和漂移速度高和临界击穿电场高等优势,非常适合于制作抗辐射、大功率、高频和高密度集成的电子器件以及蓝光、绿光和紫外光电子器件。氮化镓的这些优良性质,很好地弥补了前两代s和GaAs等半导体材料本身固有的缺点,这些无可替代的优势使GaN成为研究热点。经过大量的研究,证实氮化镓所具备的高电子迁移率、高的功率附加效益、高的截止频率等优点,使其成为制作微波大功率器件研究的首要选择,通过内匹配与合成技术可以改善HEMT器件的微波阻抗匹配特性,使大功率器件在制作功放(PA)时匹配网络设计困难的问题得以解决,提高了器件的功率输出,同时也拓宽了工作频带。具有输出功率大、频率范围宽,体积小等优势。使得aN器件应用前景更加广阔。