硅微波功率器件

   硅微波功率器件一般指应用于微波频段的硅基功率晶体管。主要结构类型包括包括siBJT、Si GeHBT和si LDMOS三类。Si B丌、si GeHBT是双极器件,FF0233SS1-R3000由两种极性不同的载流子(少数载流子)参与导电,通过注入到基极的信号电流来控制由发射极到集电极的电流变化,实现对微波信号电流的放大。主要技术参数有工作频率、输出功率、功率增益、效率。硅功率晶体管是功率放大器的重要组成部分。si BJT击穿电压高、功率密度和输出功率大,在高功率脉冲雷达发射机的功率放大器中得到广泛应用。Si LDMOS具有更好的线性度、较大的线性增益、高效率和较低的交叉调制失真,特别适合应用于连续波功率放大器。

    砷化镓微波功率器件

   砷化镓微波功率器件是指应用于微波毫米波频段的砷化镓基功率晶体管。按结构类型分为:GaAs基MEsFET、HEMT、PHEMT、HBT。GaAs基MEsFET、HEMT、PHEMT属于场效应器件,是一种包括源极、栅极、漏极的三端器件。它只靠一种载流子参与导电机构。

   GaAs基HBT的重要特点是使用窄禁带基区材料,典型结构是采用宽禁带N AlGaAs作为发射区、窄禁带P+GaAs作为集电区,组成NPN型结构。由于GaAs材料的载流子输运性能更优,所以GaAs HBT能够提供比siGc HBT更好的微波性能。主要技术指标有工作频率或频带Cro)、输出功率、功率增益和功率附加效率。GaAs微波功率器件的工作频率远高于硅器件,主要用于微波功率放大。