1)前期工作。D08G60C

   ①开封前进行X射线检查,以确定芯片形状、位置和尺寸、键合丝的高度等信扈、c这些信扈、有助于选择将要在塑封表面铣削的槽所适用的掩模或垫圈及铣削的沟槽深度,在进行湿法去包封层之前应先烘烤样品,以去除包封层中所有的水汽,以防止酸腐蚀 金属而产生附加缺陷。

   ②。

   ●去包封层的质量对后续检查结果有很大的影响,应保留开封过程的异常现象和可能的后生现象的详细记录。

   ●采用湿法技术时不应暴露引线架上的键合丝,这些键合处通常用于镀银,并且化学剂很容易使其退化。

   (2)铣削。

    ①概述。本步骤虽并非必须进行,但对于人工湿法蚀刻和等离子体蚀刻通常有用。采用铣削工序不仅能减少蚀刻时间,而且有助于确保在暴露芯片表面前先暴露出引线架,以防止引线断裂。任何适用的研磨机械都可使用。

   ②程序。铣削工作按下述程序进行:

   为了在铣削期间能确保键合丝的完整性,应保留02mm的塑料覆盖层。利用X射线检查所获得的数据,计算出需要铣削沟槽的深度。

将器件安装在铣削机的固定夹具上。工作面应与铣削面平行。开启铣床,向下移动铣头至计算好的深度。所铣削的沟槽的尺寸应比芯片更长、更

   (3)刻蚀。

   ①手工湿法刻蚀。

  a.手工湿法刻蚀优缺点如下。

   优点:如果适用的一起准备就绪,可较快地获得结果。缺点:从芯片表面去除污染物会阻碍化学分析;需要非常小心,并注意人身安全。

   b,手工湿法刻蚀所需手工湿法蚀刻设备和材料如下。

   烧杯、金属块、烘干器、铝称重盘、点滴器。

   用作刻蚀剂的发烟硝酸和硫酸。用作漂洗剂的丙酮,异丙醇或甲醇。手工湿法刻蚀工作程序如下。按照铣削的程序铣出一个沟槽或刻上一个小印痕。