齐纳消除(Zeller zapmng)(见图2.3)将齐纳二极管从最初的开路转变为短路。通过程控脉冲使二极管工作在雪崩模式,从而破坏了原来的连接并且建立了一个可靠的金属连接[11]。将二极管带人雪崩模式需要相应高的写入电压(>6Ⅴ)。必须特别小心地处理这些电压,以避免其他结点被击穿。

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    ・熔丝(FLl⒍bk hllks)由金属或多晶硅连接组成,能够被通过的大电流造成物理结构被破坏[I2]。最初的短路状态会被转换成开路。相比于齐纳消除,使用熔丝的一个优势是可以使用低于大多数CMOS管击穿电压的低电压脉冲((7Ⅴ)。然而熔丝连接可能没有齐纳消除可靠,因为金属再生长可能会(部分地)修复连接。这种连接也可以用激光束切断而破坏12、这样处理简化了电路,但是这种操作的缺点是在封装后不能进行。

    图2.3 齐纳消除:a)电路原理图,消除前b)后c)和显微镜下的齐纳二极管 最好擦除的非易失性存储器是基于浮栅技术的设计[13]:通过一个额外的浮动多晶硅栅极存储电荷,从而改变晶体管的门限电压以选通栅极和对应的沟道。EPROM(Ⅱec“cally Rogrammable Read-0nly Memo叩,电可编程只读存储器)的工作过程是,将热电子从漏极注人到浮动栅极,从而产生了高电压以选择要导通的栅极。将芯片暴露在紫外线中电荷会被释放。在EEPROM(电可擦除PR0M)或者闪存EPR0M中,浮动栅极上电荷在通过薄薄的氧化层隧穿的方式被去除。