在智能传感器的生产过程中,有几种方法可以包括校准和调节步骤。大多数智能传感器通过标准的集成电路生产流程生产,通过另外增加前道或后道工艺制作传感器元件。这意味着许多生产步骤是利用晶圆级批量工艺。在许多情况下,在晶圆切片后,只有单个传感器的封装是非批量生产制作工艺。

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   为了发挥批量生产的优势,校准和调整必须在晶圆级进行,换句话说,要在划片和封装之前进行。在某些情况下,同一片晶圆上的所有的传感器可能会同时暴露于相同的严格定义的校准条件下。例如智能温度传感器的校准使用一个温度稳定的晶片卡盘。这种并行方法的优点是创造校准条件的相关时间和费用成本被许多传感器分摊了。另一方面,这种方法一个主要的缺点是由划片和封装产生的额外的误差没有考虑在内。例如,许多智能温度传感器当它们被封装进塑料管壳中时,会表现出一个被称为封装偏移的现象。当校准和调整在晶圆级进行时,封装偏移会降低封装后传感器的精度。

   在许多情况下,校准和调整在生产线的最后进行,即在封装后进行,因为封装是传感器正常工作所必需的。这种情况下晶圆级并行处理模式的成本效益消失,这种方法可以纠正包括封装导致偏移在内的个体误差。适宜匹配的非易失性存储器技术的范围被限制于那些不需要直接进入芯片的情况。