由子构成半导体器件的材料、结构、性能的不同，失效的内容和程度的不同，进行失效分析的程序也有较大的差异。

   表面劣化机理：钠离子沾污引起沟道漏电、7辐射损伤、表面击穿（蠕变）、表面复 合引起小电流增益减小；金属化系统劣化机理：金铝合金、铝电迁移、铝腐蚀、铝划伤、铝缺口、台阶断

铝、过电应力烧毁； 氧化层缺陷引起的失效：针孔、接触孔钻蚀、介质击穿等； 封袋劣化机理：引脚腐蚀、漏气、壳内有外来物引起偏电或短路等；使用问题引起的损坏：静电损伤、电浪涌损伤、机械损伤、过高温度引起的破坏、 干扰信号引起的故障、焊剂腐蚀引脚等。

DAC813JU

   失效分析是一项非常细致的工作，在进行分析时，需要运用各种经验知识，认真拟订工作程序。在掌握失效模式和失效机理的基础上一步一步地进行分析，把可能引起的失效因素范围逐渐缩小，将典型的失效原因揭示出来。如有可能，最好对每一步分用好的器件和失效器件同时进行，以便检查每一个步骤是否会引进新的失效机理。

   半导体器件的失效模式大致可划分为六大类，即开路、短路、无功能、特性劣化、重测合格和结构不好六类。最常见的有烧毁、管壳漏气、引脚腐蚀或折断、芯片表面内涂树脂裂缝、芯片黏结不良、键合点不牢或腐蚀、芯片表面铝腐蚀、铝膜伤痕、光刻／氧化层缺陷、漏电流大、阈值电压漂移等。如果将器件品种按不同失效模式做出累积频数立方图，就能准确地找出主要问题和提出针对性的改进措施按照导致的原因有以下几种主要的失效机理。设计问题引起的劣化：版图、电路和结构等方面的设计缺陷；体内劣化机理：二次击穿、CMOS闩锁效应、中子辐射损饬，重金属沾污和材料缺陷引起的结构特性退化、瞬间功率过载；