HCPL-0810-500

   除了电极与半导体之间的界面偶极,在有机场效应晶体管中,接触电阻的大小还与有机层和源漏电极的制各顺序相关。例如,顶接触式与底接触式场效应晶体管的接触电阻是不同的,其中,顶接触式器件通常表现出比较小的接触电阻。研究发现,在并五苯之上进行金薄膜的沉积时,金原子会向有机层渗透,在有机层的表面形成金属簇,因而使界面的势垒从1eⅤ降至~0,3eV。通过各种研究,人们还发现:①接触电阻的大小与电极特性(如功函数等)强烈相关;②接触电阻依赖于栅电压大小,当栅电压增大时,接触电阻明显减小。

   接触电阻大小的获得方法之一是采用线转换方法ftransfer line me伍od,TLM),该法是利用传统技术来进行估算,最初应用于非晶硅场效应晶体管中"q。由于在电流响应的线性范围内(漏电压很小),沟道电阻与沟道长度成正比,宽度归一的总电阻α×购可以表示如下:

   T、Rc分别为单位面积下绝缘体电容、迁移率、栅电压、阈值电压、接触电阻。首先通过测量不同沟道长度下器件的电阻,得到了

沟道电阻和接触电阻的总和。然后将R×〃对L作图,将曲线外推,即为宽度归一的接触电阻,如图3.14所示。