HD49340NPEB-E

   每一条直线对应于一个固定栅电压,栅电压范围:-20~-100V

TLM方法有一些缺点,如:①该方法需要测量一系列不同的器件,但

受器件制备等因素影响,不能保证所有器件的沟道及接触电阻严格相似,这也是作图时数据点分散的原因(图3,14);②上述公式要求接触电阻不偏离欧姆定律,也就是说,如果接触电阻为非线性的,TLM方法就不能使用;

   ③由于测量需要在漏电压较低的线性范围内进行,因此对漏电流非常敏感;④iLM方法不能区分源极和漏极处的接触电阻。

   另外一个测量晶体管接触电阻的方法是利用四个接触点的四探针法,即在沟道中引入另外两个电极,如图3。15⑶所示。由于沟道中的电流处处相等,且新加人两个电极之间的电压降不受接触电阻的影响,因此该方法得到的接触电阻较为真实,同时,该方法还可以分别获得源极和漏极处的接触电阻(图3.15(b))。

在研究有机场效应晶体管的电流-电压曲线时,如果考虑接触电阻,器件的等效电路图可以由图3,12Φ)转化为图3.16。图3,16(a,所示的电路认为源、漏电极与半导体之间的接触界面所产生的电阻是线性的,其大小是固定值,不随施加电压的改变而改变;如果接触电阻特性随施加电压的改变而发生变化,则除了线性电阻,需要另外引入头脚相互并联的一对二极管来表示,如图3,16rb)所示。