LM1117S-1.5

   中电子的能量也越大,二者之间的束缚能就越小,因此所需要的热激掺杂可以使半导体材料中载流子浓度显著增加,提高材料的导电性。

    是没有掺杂时,产生本征载流子的情形,即导带中存在的自由电子和价带中存在的自曲空穴数量相当,没有空间电荷。中通过掺杂电子受体(即强氧化性物质),使半导体价带附近引人空置能级LUMOA,因而通过热激发过程,电子由主体材料HoMo能级转移到客体材 料LUMoA能级,半导体材料中出现过剩空穴,形成p型载流子中通过掺杂电子给体(即强还原剂),使半导体的导带附近引人填充电子的能级HOMOD,通过热激发过程,电子由客体HOMOD转移到半导体导带

LUMO,半导体导带中出现过剩电子,形成n型载流子。

    给出了n型掺杂半导体的载流子浓度刀以及费米能级EF随温度的变化曲线。可以看出,在较低温度的“冻结”区域,n型半导体的费米能级在半导体导带底端和给体引人能级之间,保持不变。因为温度较低,只有掺杂给体对载流子有贡献。这时通过热激发方式产生的从给体到半导体导带的电子跃迁概率也较低。由此,体系载流子浓度随着温度的降低而降低曲线斜率为在温度较高的耗尽区即,载流子的贡献仍然来自于掺杂给体。这时,掺杂给体完全被氧化,即电子已经最大限度地转移到半导体的导带上,因此载流子浓度保持不变,为蝻,而掺杂体系费米能级随着温度的增大呈降低趋势,逐渐靠近半导体的本征费米能级。在温度更高的本征区域,除了掺杂给体对载流子的贡献外,半导体的本征载流子也被激发,因此载流子的浓度随温度的升高而急剧增大,log刀~Γ丬曲线斜率为《氓)/2庀,此时体系费米能级与半导体的本征费米能级接近。在有机半导体中,由于能隙cg)较大,很难通过热激发仇o来产生本征载流子,因此通常观测不到本征区域。