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机电致发光器件在瞬态电压的驱动下给出光发射

发布时间:2019/4/10 20:48:04 访问次数:911

    A2IL-15A

   

   与注人型瞬态暗电流方法类似,瞬态电致发光也是利用脉冲波产生瞬态电压伸日在小于⒛ns的时间内产生3~ωV的电压)。但本方法是收集瞬态 发光信号,而不是电流信号。有机电致发光器件在瞬态电压的驱动下给出光发射,使用高响应的硅基光电倍增管可以得到检测,并储存于示波器。通过检测到的瞬态电致发光时间(莎T),利用式。17sJ来计算载流子迁移率。通常情况下,有机材料中电子和空穴两种载流子的迁移率有很大差别,电子迁移率小于空穴迁移率。利用瞬态电致发光,检测快速载流子和慢载流子的器件结构有所不同,如图2.”所示。检测材料体系中输运较快的载流子的迁移率,采用的是单层器件结构(图2.99);而检测材料体系中输运较慢的载流子的迁移率需要构筑双层器件结构(图2.99))。在双层器件结构中,包含空穴传输层(HTL)和电子传输层rETL)。在外加电场的作用下,空穴和电子分别从阳极和阴极注人。由于HTL中空穴的迁移率较大,当空穴从阳极注入后,会很快地通过HTL传输聚集在HTL/ETL的界面处。正负载流子的复合以及随后的发光,只有在迁移率较慢的电子通过ETL的传输到达HTL/ETL界面时才能发生。因此,瞬态电致发光时间(JTJ代表了电子穿越ETL的时间,可用来计算ETL中电子的迁移率。在单层器件中,通常情况下有机材料中一种载流子的迁移率远远大于另外一种载流子的迁移率。因此迁移率较小的载流子可视为静止,电致发光的产生归功于快速载流子从有机层的一端输运到另一端,与慢载流子复合的结果。于是瞬态发光的时间(JT)对应于材料中快速载流子的迁移。

   

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   与注人型瞬态暗电流方法类似,瞬态电致发光也是利用脉冲波产生瞬态电压伸日在小于⒛ns的时间内产生3~ωV的电压)。但本方法是收集瞬态 发光信号,而不是电流信号。有机电致发光器件在瞬态电压的驱动下给出光发射,使用高响应的硅基光电倍增管可以得到检测,并储存于示波器。通过检测到的瞬态电致发光时间(莎T),利用式。17sJ来计算载流子迁移率。通常情况下,有机材料中电子和空穴两种载流子的迁移率有很大差别,电子迁移率小于空穴迁移率。利用瞬态电致发光,检测快速载流子和慢载流子的器件结构有所不同,如图2.”所示。检测材料体系中输运较快的载流子的迁移率,采用的是单层器件结构(图2.99);而检测材料体系中输运较慢的载流子的迁移率需要构筑双层器件结构(图2.99))。在双层器件结构中,包含空穴传输层(HTL)和电子传输层rETL)。在外加电场的作用下,空穴和电子分别从阳极和阴极注人。由于HTL中空穴的迁移率较大,当空穴从阳极注入后,会很快地通过HTL传输聚集在HTL/ETL的界面处。正负载流子的复合以及随后的发光,只有在迁移率较慢的电子通过ETL的传输到达HTL/ETL界面时才能发生。因此,瞬态电致发光时间(JTJ代表了电子穿越ETL的时间,可用来计算ETL中电子的迁移率。在单层器件中,通常情况下有机材料中一种载流子的迁移率远远大于另外一种载流子的迁移率。因此迁移率较小的载流子可视为静止,电致发光的产生归功于快速载流子从有机层的一端输运到另一端,与慢载流子复合的结果。于是瞬态发光的时间(JT)对应于材料中快速载流子的迁移。

   

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