有些芯片在划片时为了达到特殊的芯片表面保护效果,同一切割道要切割两次。此时KA358A第一次切割时用的刀片比较宽,第二次切割时用的刀片比较窄。切割时要特别注意,不可切穿芯片背面的蓝膜。若切穿蓝膜会造成芯片颗粒散落,后序的贴片工艺无法进行。

   划片时洁净水的电阻值要控制在1MΩ之下,以保护芯片颗粒不会有静电(ESD)破坏的问题。

   一般划片时移动的速度为50mm/s。

   一般划片时的刀片旋转的速率为38000r/min。

    划片完成后,还需要用洁净水冲洗芯片表面,保证芯片L打线键合区不会有硅粉等残物,如此才能保证后序打线键合丁艺的成功良品率。有时在洁净水中还要加入清洁用的化学药剂及二氧化碳气泡,以便提高清洁的效果及芯片表面清洁度。

  将芯片颗粒由划片后的蓝膜上分别取下,用胶水(epoxy)与支架(leadframc,引线筐架)贴合在一起,以便于下一个打线键合的△艺。胶水中加人银的颗粒,以增加导电度,所以也称为银胶。贴片前后支架照片,以及贴片丁艺分别。

   一般芯片颗粒背后银胶层厚度为5um。同时芯片颗粒周边需要看到银胶溢出痕迹,保证要有90%的周边溢出痕迹。

   贴片及打线工艺完成后的截面照片,芯片颗粒外围可见溢出现象

其他的常用贴片模式之一,主要是使用共金熔焊模式取代银胶焊锡丝熔焊模式取代银胶芯片颗粒小的产品贴片的速度可以提高:但是对于芯片颗粒超大的产品.贴片时需保证误差度在50um以内.所以速度要放慢:针对超薄的芯片颗粒.必须用慢速及特昧的芯片颗粒吸取吸头,以保证芯片颗粒不会被破坏或出现微裂纹: