从以上分析已经可以看出,晶振与参考接地板之间的耦合导致电缆共模辐射的实质是晶振与参考接地板之间的寄生电容,也就是说这个寄生电容越大,ILC5061AM44X晶振与参考接地板之间的耦合就越厉害,流过电缆的共模电流也越大,电缆产生的共模辐射发射也越大:反之辐射发射就越小。那这个寄生电容的实质是什么呢,实际上这个晶振与参考接地板之间的寄生电容就是由于晶振与参考接地板之间存在的电场分布。当两者之间的电压差恒定时,两者之间电场分布越多,两者之间的电场强度就越大.两者之间寄生电容也会越大:当晶振布置在PCB的边缘时,晶振与参考接地板之问的电场分布示意图如图6。111所示。当晶振布置在PCB中间,或离PCB边缘较远时,晶振与参考接地板之间的电场分布示意图如图6.112所示。

   图61I1 PCB边缘的晶振与参考接地板之问的电场分布示意图

   从图6。l11和图6.112的比较可以看出,当晶振布置在PCB中间,或离PCB边缘较远时,由于PCB中I作地(GND)平面的存在,使大部分的电场控制在晶振与工作地(GND)之间,即在PCB内部,分布到参考接地板的电场大大减小,即晶振与参考接地板之间的寄生电容大大减小。这时也不难理解为何晶振布置在PCB边缘时会导致辐射超标,而向板内移动后,辐射发射就降低了。