将晶振内移:使其离PCB地平面边缘至少有1cn1以上的距离,并在PCB表层离晶振1cm的范围内敷铜,同时把表层的铜通过过孔与PCB地平面相连。经过修改后的测试结果频谱图如图6.113所示,从图6.113中可以看出,辐射发射有明显的改善。IM4A3-32/32-7JC-10JI

   图6l13 经过修改后的测试结果频谱图

   【思考与启示】

   (1)高dt//dε的印制线或器件与参考接地板之间的容性耦合,会产生EMI问题,敏感印制线或器件布置在PCB边缘会产生抗扰度问题。

   (2)杜绝高dt//dJ的印制线或器件放置在PCB的边缘,如果设计中由于其他原因一定要布置在PCB边缘,那么可以在印制线边上再布一根I作地(GND)线,并通过过孔将此工作地(GND)线与工作地(GND)平面相连。

   (3)消除一种误解:不要认为辐射是由晶振直接造成的,事实上晶振个体较小,它直接影响的是近场辐射(表现为晶振与其他导体(如参考接地板)之间形成的寄生电容),造成远场辐射的直接因素是电缆或产品中最大尺寸与辐射频率波长可以比拟的导体。