当一个被测产品置于辐射发射的测试环境中时,被测产品中的高速信号线或高速器件与实验室中参考接地板会形成一定的容性耦合,ILC5061AM32X 即被测产品中的高速信号线或高速器件与实验室中参考接地板之间存在电场分布或寄生电容,这个寄生电容很小(如小于0.1pF),但是还是会导致产品出现一种共模辐射,产生这种共模辐射的原理如图6.110所示。在图6。I1Q中,晶振壳体上的电压(外壳不接0Ⅴ的晶振)或晶振时钟信号引脚上的电压〃DM和参考接地板之间产生寄生回路,回路中的共模电流通过电缆产生共模辐射,共模辐射电流JcM≈C・ω・UDⅥ,其中,C为PCB中信号印制线与参考接地板之间的寄生电容,约在十分之一皮法到几皮法之间;CP为参考接地板与电缆之间的寄生电容,约为100pF;ω为信号角频率。

   共模辐射电流∫cM会在几微安到数十微安之间,由共模辐射公式(6.2) (参见案例78)可知,电缆上流过这个数量级的共模电流已足够造成辐射发射测试的超标。

    图6110 晶振与参考接地板之间的容性耦合导致辐射发射原理