SIT的基本结构及电路图形符号如图2.22所示,在N+型衬底上外延高阻N^层,然后在N高阻外延层内扩散若干个芦区,再在其顶部另外扩散一个N+层。 DA28F160S3100从衬底上引出的电极叫漏极D,将P区连在一起后,引出的电极叫栅极G,从扩散的N+层上引出的电极称为源极S。SIT也是采用垂直导电形式的多细胞集成结构。

   SIT的工作原理如下:当“栅一源”和“漏一源”之间都不加电压时,相邻两个/区之间存在电中性区沟道,这时,若在“漏一源”两端加正向电压,则有电流流过沟道,“漏一源”电压越高,沟道电流越大,相当于器件处于导通状态。SIT工作时,是在“栅一源”间加负偏压,使得PN结的空间电荷区变厚,沟道变窄,电子势垒变大。进一步分析表明,电子势垒的大小,不仅与负栅偏压已忆s有关,而且与正的“漏一源”电压I/Ds有关。负栅偏压乙忆s的绝对值越大,电子势垒越高;正“漏一源”电压IrDs越大,电子势垒越低。因此,可以通过改变己忆s和I/Ds的大小,控制沟道的电位分布与势垒高度,从而控

制“漏一源”电流的大小。由于SIT的沟道电位分布及势垒高度是由已钛和乙钛的静电场形成的,因而将器件命名为静电感应晶体管。