OB1RCH等需射技术利用红外波段波长1.3um的雷射扫描芯片的止面或背面,因Si衬底对红外波段光的透明性,不会在Si衬底激发出电子一空穴对。PST573IMT-R雷射激发的能量以热的形式被芯片特征吸收,被吸收的能量引起特征阻值的变化。因此,常用于后段金属互连线的短路、开路、金属层间接触孔的接触不良引起的阻值飘高等失效问题的诊断,是一个非常实用的手段。对铜制程产品金属互连线的短路,虽然有定位不如铝制程准确的报道,但对通孔接触不良相关失效定位仍然非常有效实用。ΘBIRCH等雷射技术也可以用于制程前段器件欧姆特性失效模式的问题,如EsD测试失效,ESD保护电路中的器件常常损伤严重,IV曲线早欧姆特性.OBIRCH技术常被用来定位这一类失效。

   同PEM利其他定位技术一样,(记IRC)H也存在局限性,如:

   (1)大部分OBIRCH等雷射技术系统只适用于DC静态失效分析,引起失效的缺陷如果不和电源或地相连,如信号(signtaD,OBIRCH分析时所加偏置不易激励失效线路。

   (2)芯片正面多层金属布线结构,特别是大尺寸金属互连线,对OBIRCH探测的热点有热耗散(heat dissipation)作用,降低探测灵敏度。

   (3)使用雷射注人技术主要的关注是在雷射横向扫描芯片时引起温度的上升,温度上升太少探测不到缺陷,温度上升太多会造成芯片的损伤,人为地破坏芯片。

   (4)同PEM类似,C汜IRCH探测的热点,不一定是真正的失效位置,而是一些结构由于所加偏置条件或设计等引起。作为产品级失效定位手段时,在相同偏置条件下,建议通过好坏样品相比较,从中找出有效热点,找到失效机理。