oBIRCH/XIVA
发布时间:2017/11/14 20:59:10 访问次数:1273
新型的发光显微镜配有ΘBIRCH新功能。图14.8是OBIRCH的原理图,利用波长为1340nm的霄射扫描芯片的正面或背面,检测器件电压/阻值或者电流的变化; PMBT2369雷射激发的能量以热的形式被芯片特征吸收,引起温度变化,温度变化又间接引起特征阻值的变化。如果特征阻值的改变引起整个器件的电压、阻抗或电流变化,这个变化在电学卜容易检测得到,所以雷射注人技术探测的重点区域是要在这个区域有阻抗的变化。如果互连线中存在缺陷或者空洞,这些区域附近的热量传导不同于其他的完整区域,将引起局部温度变化,从而引起电阻值改变ΔR,如果对互连线施加恒定电压,则表现为电流变化,通过此关系,将热引起的电阻变化和电流变化联系起来。将电流变化的大小与所成像的像素 亮度对应,像素的位置和电流发生变化时雷射扫描到的位置相对应。这样,就可以产生OP,lRCH像来定位缺陷。
新型的发光显微镜配有ΘBIRCH新功能。图14.8是OBIRCH的原理图,利用波长为1340nm的霄射扫描芯片的正面或背面,检测器件电压/阻值或者电流的变化; PMBT2369雷射激发的能量以热的形式被芯片特征吸收,引起温度变化,温度变化又间接引起特征阻值的变化。如果特征阻值的改变引起整个器件的电压、阻抗或电流变化,这个变化在电学卜容易检测得到,所以雷射注人技术探测的重点区域是要在这个区域有阻抗的变化。如果互连线中存在缺陷或者空洞,这些区域附近的热量传导不同于其他的完整区域,将引起局部温度变化,从而引起电阻值改变ΔR,如果对互连线施加恒定电压,则表现为电流变化,通过此关系,将热引起的电阻变化和电流变化联系起来。将电流变化的大小与所成像的像素 亮度对应,像素的位置和电流发生变化时雷射扫描到的位置相对应。这样,就可以产生OP,lRCH像来定位缺陷。