对准(a1ignment)指的是层与层之间的套准。一般来讲,层与层之间的套刻(ovcd刂)精度需要在硅片关键尺寸(最小尺寸)25%~30%左右。RTL8212F-GR在这里将讨论以下几个方面:套刻流程、套刻的参量及方程、套刻记号、与套刻相关的设备和技术问题,以及影响套刻精度的工艺。

   套刻流程分为第一层(或者前层)对准记号(alignme血t mark)制作、对准、对准解算、光刻机补值、曝光、曝光后套刻精度测量以及计算下一轮对准补值,如图7.40所示。套刻的目的是将硅片上的坐标与硅片平台(也就是光刻机的坐标)最大限度地重合在一起。对于线性

的部分,有平移(Tx,TY)、围绕垂直轴(Z)、旋转(R)、放大率(M)四个参量。可以将硅片坐标系(Xw,Yw)与光刻机坐标系(XM,yM)建立以下联系.