后段制程中,铜金属W-117S1P-18内连线引人,用于替代铝。为避免与非铜区域机台交叉污染和阻止器件性能的降低,必须强制执行晶背去污染清洗。晶片背面氮化硅的出现会限制铜的扩散。C,Richard等人评估各种化学品对晶背铜的清洗,并报道DHF和DHF/H2o2是最理想的、较少氮化硅保护膜损失的化学品,如图9.13所示。

   晶片边缘污染去除失败,会导致严重的交叉污染,像后续CMP制程会把污染从品片边缘带到其他区域。I'ysaght等人披露,在单片旋喷清洗机上使用混合酸(HsPΘ|:H202:HCl:H2()),可以精确控制去除铜0,5mm到3,0mm,并得到一个在Cu与Ta之问的理想斜坡(见图9.14)。单片旋转喷清洗机被广泛应用于晶片边缘污染控制,同时没有化学品伤及晶片正面。