晶片湿法刻蚀大致分五步:①溶液的反应物利用扩散,到达溶液和晶面的边界层;②反应物由边界层与晶面薄膜接触;③反应物与薄膜分子反应,产牛气体或其他副产物;④膜层减薄或消逝,同时生成物进入边界层;③利用溶液的扩散效应,S912XEP100J4VAG生成物由边界层进入溶液,并循环或排出。

   湿法刻蚀受四个因素影响:溶液浓度、刻蚀时问、反应温度、溶液的搅拌。 一般来讲,刻蚀溶液的温度越高或浓度越浓,膜层移除的速率越快,但太高的反应速率会造成严重的膜层粗糙、底切现象或膜层脱落;相反,刻蚀速率越慢,薄膜被移除的时问就越长,因此:因素是互相关联的。最后一项是溶液的搅拌,适当的搅拌可帮助反应物或生成物快速地质量传输,囚为搅拌产生的对流可减少边界层的厚度,不冉单依赖于扩散。搅拌的方式有泵驱动、气体或兆声波。