(lM()S正面制造过程中,不可避免地带给背面和边缘一些污染,特别是膜层沉积、图案W107DIP-5定义、化学机械抛光(CrMP)步骤。一方面,晶片背面的颗粒在曝光时会导致一些问题,如局 部聚焦偏离;另一方面,晶片背面污染可能导致在传输、量测机台、步进机和别的机台L的交叉污染,这些污染,如金属,在硅中有高的扩散速率,当进行炉管制程时,可能从晶片背面扩散到器件L×并降低器件性能;另外,在封装步骤,晶片研磨减薄的损伤也可导致更多应力,容易使晶片破碎。目前,人们已经意识到晶片边缘的污染可能引起更多的缺陷,在随后的制程中逐渐对器件造成影响,最终导致良率的降低。以上提及的污染可能是颗粒、金属、未知的膜层,它们必须用各种清洗手段加以去除,以下给予介绍。

   为了满足未来CM()S时代的要求,以降低功率消耗和提高器件性能为目的,大量新材料被引人制造。它们包括用于绝缘的高电介质材料(氧化铪Hf02,氧化锆Zro2,氧化铝Al?03,氧化镧La2o3,氧化钪Sc02,氧化镨Pro2,氧化铈Ceo2,・・…、以及混合氧化物)、用于电极(TiN,TaN,Al,W,Pt,Ir,Mo・…・o和白对准金属硅化物(Cosi.Tisi,NiSi,

NiPtSi・・…o的金属。这些金属对晶背的污染不。r避免,且必须被去除。在可杳的各种化学品中,R,Vos等人指出,除了Ta和Pt(见图9.12)sJ,大多数金属都可用HF为主体的药液去除到0.5x10⒈atom/cm?(ITRS规定标准)。假如一定要考虑去除Ta和Pt,可行的化学品是HF/HN()l混合液,但Pt的污染仍然处于可控边缘。