电介质沟槽刻蚀
发布时间:2017/11/4 11:53:05 访问次数:457
聚合物气体对沟槽形状的影响见图8.±0。与上一节类似,如果采用多聚合物气体CHJF∶, MST6M16JS-LF可以制造出锥形沟槽形状。采用缺少聚合物的I∶艺,并使用C・得到更为竖直的沟槽形状。事实卜,铜的沉积将得益于竖直的沟槽形状,而多聚合物的气体CHLFJ会造成更糟糕的不均匀的刻蚀速率.其结果是倾向于更差的沟槽深度的不均匀性。去胶E艺,一个标准的去除沟槽刻蚀掩膜的T艺步骤,也是一个关键的沟槽形状调节方法c如图8.・↓1所示,在掩膜去除前,沟槽的形状是竖直的。然而,在光刻胶掩膜去除后,可以注意到沟槽的侧壁有些许圆弧形的变化。这可以归为在传统的光刻胶掩膜去除r∶艺中,灰化过程使用了大量的02。低虑材料容易被02去胶工艺损伤,因而低虑侧壁易受02去胶步骤的影响,出现圆弧形。
聚合物气体对沟槽形状的影响见图8.±0。与上一节类似,如果采用多聚合物气体CHJF∶, MST6M16JS-LF可以制造出锥形沟槽形状。采用缺少聚合物的I∶艺,并使用C・得到更为竖直的沟槽形状。事实卜,铜的沉积将得益于竖直的沟槽形状,而多聚合物的气体CHLFJ会造成更糟糕的不均匀的刻蚀速率.其结果是倾向于更差的沟槽深度的不均匀性。去胶E艺,一个标准的去除沟槽刻蚀掩膜的T艺步骤,也是一个关键的沟槽形状调节方法c如图8.・↓1所示,在掩膜去除前,沟槽的形状是竖直的。然而,在光刻胶掩膜去除后,可以注意到沟槽的侧壁有些许圆弧形的变化。这可以归为在传统的光刻胶掩膜去除r∶艺中,灰化过程使用了大量的02。低虑材料容易被02去胶工艺损伤,因而低虑侧壁易受02去胶步骤的影响,出现圆弧形。
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