除了上述的接触孔刻蚀的调节方法,ESC温度和图形化方案对孔圆度控制、侧辟形状MAX9111EKA-T和不同特征情况下的收缩比率也很重要的。图8,29(a)显示的是在如nm及以下丁艺节点巾,经常出现在s卜Barc图形化和℃EsC边缘重叠控制中的鸟嘴型.这有町能导致接触孔对多晶硅栅短路,ml图8.29(b)和图8.29(c)显示的是由丁0℃E廴:聚合物过度的原因,0℃E队)+si―Barc图形化后造成接触孔未开通问题。而且,矩形接触孔CD的收缩是方形接触孔的两倍,这意味着刻蚀的矩形接触孔可能无法将多晶硅栅与AA相连。所有这些情况促使利用不定形碳掩膜。图8.30显示了部分主刻蚀比较的结果,不定形碳掩膜由于它出色的硬度和化学惰性表现更好。