在刻蚀机内部,源功率用来改变等离子的密度,偏置功率用来调节离子的轰击能量。而MAX3380ECUP源功率与偏置功率的比值可能是个神奇的数字,用来进行侧壁形状的控制。图8.27比较了三个典型的形状,可以看到,当源功率与偏置功率的比值从1.O下降到0.66,侧壁的角度从85.5°上升到89.5°。这说明当比值升高时,有更多的副产物沉积在接触孔的侧壁上,与重聚合物有关的更多的副产物的产生,不可避免地会形成锥度侧壁。接触刻蚀通常包括两个典型的主刻蚀步骤。第一步是以低的氧化物和刻蚀停止层选择比为特征,主要是为了CD控制。第二步通常含有重聚合物气体C冫△J曾加对停止层的选择性,并确保足够的过刻蚀窗口。囚为在第二步屮,高深宽比的接触孔()7。ω和丰富的聚合物或者副产泓,容易导致随机的接触孔未开通问题。在两个主刻蚀步骤中,迫切地需要加人02或者其他去聚合物气体,去消耗一些聚合物和/或副产物,以避免随机的接触孔未开逍。图8.28显示的是02对接触孔开通和最终AEI CD的影响。可以清楚地看出,更多的02可以减少接触孔开通的缺陷,但是这样也带来F一个副作用,造成更大的AEI CD。这显示出在两个主刻蚀步骤中,必须就具体的工艺对02比率进行优・化,以避免接触孔未开通问题,同时确保AEI CD达标。