东京电子的刻蚀机主要采用电容耦合等离子(CCP),并主要针对各种介质的刻蚀e⒛06年没计的Tclius廴)(lM Ji-()x,其目标是用于45nm及其以下I艺节点的逻辑电路工艺。如图8。H"所示,与Flex系列所有的频率功率都加在底部电极不同,VT231TCX-ADJ传统的SCCM SE plus采用两个分离的RF发生器。位于顶部的高频是功率源,用来调整等离子密度,而底部的低频是用来控制离子的轰击。另外,可调的间隙是控制等离子分布的关键。从而实现r所需刻蚀速率的均匀性。为了进一步增强刻蚀速率分布控制的灵活性,将边缘气流调节和在顶部电极上叠加直流等技术也整合到了SCCM Ji―()x中。这一功能被证明能够缓解在低功率区出现的甜麦圈型的刻蚀速率分布,而且,单片总成本降低的需求更注重于一体化刻蚀工艺的能力。在一体化I艺各步骤中,可以自由地优化直流叠加技术,以避免可能出现的同定间隙调整T艺步骤的限制。