在2009年,应用材料公司(AMAT)发布了用于32nm及其以下工艺节点的AdvantEdgc Mesa硅刻蚀机。Mesa利用了应用材料公司多代成熟的产品技术和丰富的经验,W27E257-12突破性的ICP设计去除F ICP功率耦合的固有特征,从而改进了M形刻蚀速率均匀性。eMax CT^是应用材料公司第一个以两个不同偏置功率、双气区和SiC涂层表面为特征的介质刻蚀机。两种机型的目标都是要改进CD的均匀性。2O09年推出的Enabler E5具有一个专利技术的超高频(VHF)[㈠1源,采用磁场和多个独立的气体注人控制离子流量。所有这些特征,导致其在一体化的后端工艺集成和高深宽比(HAR)接触刻蚀中具有特殊的能力。超高频混合是动态等离子均匀性控制的一个有效的技术,它能够使腔室运行在保持超薄光刻胶完整性的低分解高选择性模式,也可以运行在有效地去除光刻胶和刻蚀后残余物的高分解模式。有效的腔室清洗能力,高纯的抗等离子刻蚀的腔室材料,二者协同效应的结果提供了一个稳定、清洁的腔室条件。