缺陷按来源分类可以分为掩膜版缺陷、工艺引入的缺陷、衬底引人的缺陷。 V42238B9-A/E8.8

   掩膜版的缺陷通常源于掩膜版在制造过程当中引入的图形缺陷,如线宽制造错误,部分细小图形的缺失(如亚衍射散射条)以及引人的外来颗粒。工艺的缺陷叉可以按照流程来划分:涂胶引人的缺陷、曝光过程引入的缺陷(包括浸没式和非浸没式)、显影过程引人的缺陷。

涂胶引人的缺陷有底部抗反射层、光刻胶本身引人的颗粒、结晶、气泡等颗粒类型的缺陷,还有由于硅片表面的颗粒异物造成甩胶时产生的放射状缺陷。

   显影过程引入的缺陷有显影液回溅产生水雾(developer mist),导致硅片边缘区域产生过度显影的小区域,还有被显影冲洗下来的光刻胶残留没有被冲洗带走,留在硅片表面。此外,还有与衬底粘附性不良造成的剥离缺陷。对于接触孔(contacthole)、通孔(via)层,还有孔缺失(missing hole,missing col△taCt/Via)缺陷L4∶。孔缺失缺陷一般由于以下几种原因造成:

   ・光刻胶的显影不良,因为显影或显影冲洗不好,没能有效地将溶解的和部分溶解的光刻胶残留物带离硅片表面。通常这类缺陷会先发生在硅片边缘。

   ・光刻I艺没有足够的对焦深度(Depth of Focus,DC)F),使得在硅片表面有一点高低起伏时,发生一定区域上的孔缺失。

   ・光刻工艺拥有较高的掩膜版误差因子(MEF),一般))4.0,当掩膜版上的线宽误差达到一定程度时,发生孔的缺失。