当光刻胶被旋涂在硅片表面后,必须经过烘焙。烘焙的目的在于将几乎所有的溶剂驱赶走。TA31065A这种烘焙由于在曝光前进行叫做“曝光前烘焙”,简称前烘,又叫软烘(soft bake)。前烘改善光刻胶的黏附性,提高光刻胶的均匀性,以及在刻蚀过程中的线宽均匀性控制。在6,3节讲到的化学放大的光刻胶(chemically amplihed photore⒍st)中,前烘在一定程度上还可以用来改变光酸的扩散长度,以调整工艺窗口的参数。典型的前烘温度和时间在90~100℃,30s左右。前烘后硅片会被从烘焙用的热板移到一块冷板上,以使其回到室温,为曝光步骤做准各。

   对准和曝光

   前烘后的步骤便是对准和曝光(alignment and exposure)。在投影式曝光方式中,掩膜版被移动到硅片上预先定义的大致位置,或者相对硅片已有图形的恰当位置,然后由镜头将其图形通过光刻转移到硅片上。对接近式或者接触式曝光,掩膜版上的图形将由紫外光源直接曝光到硅片上。对第一层图形,硅片上可以没有图形,光刻机将掩膜版相对移动到硅片上预先定义的(芯片的分化方式)大致(根据硅片在光刻机平台上的横向安放精度,一般在10~30um左右)位置。对第二层及以后的图形,光刻机需要对准前层曝光所留下的对准记号所在的位置将本层掩膜版套印在前层已有的图形上。这种套刻精度通常为最小图形尺寸 的25%~30%。如90nm技术中,套刻精度通常为22~28nm(3倍标准偏差)。一旦对准精度满是要求,曝光便开始了。光能量激活光刻胶中的光敏感成分,启动光化学反应。衡量光刻工艺好坏的主要指标一般为关键尺寸(C⒒tim1)mension,CD)的分辨率和均匀性,套刻精度,产生颗粒和缺陷个数。